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一般性问题
零维半导体材料的电子结构研究
MOCVD设备工艺优化理论与低温InP/Si晶片键合机理的研究
高K介质材料氧化镁的制备及其性质研究
PECVD工艺条件对器件合格率的影响及其优化
InAs/GaSb超晶格界面微观结构研究
InSb/InAsSb超晶格红外探测薄膜结构与性能
InAs/GaInSb超晶格的外延生长模拟及微结构设计研究
GaAs/AlGaAs HEMT材料的结构与电学性能研究
GaAs/AlxGa1-xAs超晶格薄膜界面间扩散的研究
自组装单分子膜的末端功能基团对化学气相沉积铜薄膜的影响
Epi-SOI硅片制备及表征
助溶剂法不同形貌SiC晶体的生长
溶胶—凝胶法制备Fe掺杂ZnO基稀磁半导体
储氢合金/Cr掺杂复合氧化物半导体电极的制备及其光电化学性能
溶胶凝胶法制备钴掺杂二氧化钛型稀磁半导体及其性能研究
掺杂纳米多晶Si膜的低压化学气相沉积与电学特性研究
超薄SiO_xN_y膜的制备与结构特性研究
a-Si1-xCx：H薄膜的热壁LPCVD制备与结构特性研究
H2/C2H2系统电子助进热丝化学气相沉积动力学过程研究
等离子体增强化学气相沉积法制备氮化碳薄膜及其气相反应过程研究
CVD法低温合成纳米金刚石薄膜及其动力学研究
CH4/H2系统电子助进热丝化学气相沉积动力学过程研究
碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析
Ⅲ-N材料的RF Plasma MBE生长及物理研究
横向外延GaN材料的MOCVD生长与特性研究
用脉冲激光沉积法在硅衬底上生长LiNbO3薄膜的研究
硅基GaN薄膜制备及紫外探测器的初步研究
TFT-LCD制造中通过CVD与DE改善互连接触孔形状
在半导体制造中使用物理气相沉积代替化学气相沉积来生长氮化钛阻挡层
提高钨在半导体制造中填孔能力的研究
外延Pb(Zr0.52Ti0.48)O3单晶薄膜的制备与性能研究
GaAs/Si和含B光电子材料异质外延生长的理论和实验研究
磁控溅射法制备氧化钒薄膜及其特性研究
掺锶的钛酸铅铁电薄膜性能研究
氧化钽高K薄膜的制备、结构和光、电性能的研究
一种硅基多孔薄膜的制备及其介电性能研究
MOCVD设备气体输运与加热控制系统设计
溶胶—凝胶法制备SnO2气敏薄膜及其性能研究
纳米SnO2气敏膜的制备技术与特性研究
金属有机物化学气相沉积反应腔建模与仿真
MOCVD设备气体输运关键技术的研究
C轴择优取向氧化锌薄膜溶胶—凝胶法制备及性质研究
MgZnO薄膜材料的MOCVD法生长、退火及其发光器件研究
会切场约束ICP增强非平衡磁控溅射放电及应用研究
物理汽相沉积并五苯半导体薄膜及其生长机理
脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜及其光学性质的研究
氧化锌（ZnO）薄膜的制备及其性质的研究
脉冲激光沉积制备氧化锌纳米棒及其性质的研究
MOCVD异质外延硅基ZnO和SiC薄膜及其特性研究
PLD技术制备ZnO薄膜及其结构和发光性质研究
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