横向外延GaN材料的MOCVD生长与特性研究
| 第一章 引言 | 第1-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-28页 |
| 第2．1节 GaN的基本性质 | 第10-12页 |
| 第2．2节 GaN的应用领域 | 第12-13页 |
| 第2．3节 GaN的研究历程和现状 | 第13-15页 |
| 第2．4节 目前仍存在的问题和发展方向 | 第15-16页 |
| 第2．5节 GaN材料研究的发展 | 第16-18页 |
| 第2．6节 GaN材料外延生长方法 | 第18-22页 |
| 第2．7节 横向过生长（LEO）外延GaN材料 | 第22-27页 |
| 第2．8节 小结 | 第27-28页 |
| 第三章 实验设备与表征方法 | 第28-37页 |
| 第3．1节 MOCVD技术简介 | 第28-33页 |
| 第3．2节 材料表征方法 | 第33-36页 |
| 第3．3节 小结 | 第36-37页 |
| 第四章 GaN材料的MOCVD生长及其特性 | 第37-59页 |
| 第4．1节 衬底及源材料的选择 | 第37-38页 |
| 第4．2节 外延生长工艺流程 | 第38-39页 |
| 第4．3节 不同石墨块的对比 | 第39-45页 |
| 第4．4节 停滞层的影响 | 第45-46页 |
| 第4．5节 衬底表面的高温处理过程 | 第46-50页 |
| 第4．6节 缓冲层厚度的对比实验 | 第50-54页 |
| 第4．7节 外延温度的影响 | 第54-58页 |
| 第4．8节 小结 | 第58-59页 |
| 第五章 GaN材料的LEO生长及其特性 | 第59-75页 |
| 第5．1节 LEO生长GaN材料的结构设计 | 第59-61页 |
| 第5．2节 LEO生长GaN材料的工艺流程 | 第61-64页 |
| 第5．3节 GaN材料的LEO生长与特性 | 第64-72页 |
| 5．3．1 选择生长的实现 | 第64-68页 |
| 5．3．2 影响横向生长速率的因素 | 第68-72页 |
| 第5．4节 LEO生长GaN材料的实验结果 | 第72-74页 |
| 第5．5节 小结 | 第74-75页 |
| 第六章 主要结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 附录一 发表论文目录 | 第81页 |
| 附录二 个人简历 | 第81页 |
