| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-19页 |
| ·课题背景 | 第8-9页 |
| ·红外探测器的研究进展 | 第9-10页 |
| ·InAs/GaInSb材料的研究进展 | 第10-16页 |
| ·InAs/GaInSb的性质 | 第10-12页 |
| ·InAs/GaInSb超晶格材料的制备 | 第12-14页 |
| ·InAs/GaInSb材料界面研究 | 第14-16页 |
| ·薄膜材料生长过程的计算机模拟的研究现状 | 第16-17页 |
| ·常用模拟方法简介 | 第16-17页 |
| ·KMC模拟研究现状 | 第17页 |
| ·本文研究的目的与主要内容 | 第17-19页 |
| ·本文研究的目的与意义 | 第17-18页 |
| ·研究工作的主要内容 | 第18-19页 |
| 第2章 InAs/Ga_(1-x)In_xSb超晶格的生长模拟与能带结构计算方法 | 第19-28页 |
| ·InAs/Ga_(1-x)In_xSb超晶格生长模拟 | 第19-23页 |
| ·动力学蒙特卡罗法 | 第19-21页 |
| ·Solid-on-Solid(SOS)模型 | 第21-22页 |
| ·建模过程 | 第22-23页 |
| ·InAs/Ga_(1-x)In_xSb能带结构的计算 | 第23-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 InAs/Ga_(1-x)In_xSb超晶格生长的计算机模拟 | 第28-44页 |
| ·GaAs衬底上的GaSb缓冲层的生长 | 第28-30页 |
| ·GaSb缓冲层对InAs/Ga_(1-x)In_xSb超晶格生长的影响 | 第30-38页 |
| ·GaSb缓冲层对薄膜表面形貌的影响 | 第30-34页 |
| ·GaSb缓冲层对薄膜表面粗糙度研究 | 第34-36页 |
| ·薄膜形核过程的分析 | 第36-38页 |
| ·界面层对InAs/Ga_(1-x)In_xSb超晶格生长的影响 | 第38-42页 |
| ·GaAs型界面的影响 | 第38-39页 |
| ·InSb型界面的影响 | 第39-42页 |
| ·对超晶格周期性生长模拟的初步探索 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 InAs/Ga_(1-x)In_xSb超晶格的能带结构计算 | 第44-53页 |
| ·InAs/GaSb超晶格的能带结构 | 第44-47页 |
| ·InAs层厚度对InAs/GaSb超晶格能带结构的影响 | 第46页 |
| ·GaSb层厚度对InAs/GaSb超晶格能带结构的影响 | 第46-47页 |
| ·InAs/Ga_(1-x)In_xSb超晶格的能带结构 | 第47-51页 |
| ·InAs层厚度对InAs/Ga_(1-x)In_xSb超晶格能带结构的影响 | 第48-49页 |
| ·GaInSb层厚度对InAs/Ga_(1-x)In_xSb超晶格能带结构的影响 | 第49-50页 |
| ·In含量x对InAs/Ga_(1-x)In_xSb超晶格能带结构的影响 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 应变超晶格材料的微结构设计及其器件应用 | 第53-66页 |
| ·应变超晶格材料的微结构设计 | 第53-59页 |
| ·应变对薄膜成膜质量的影响 | 第53-56页 |
| ·应变对超晶格能带结构的影响 | 第56-58页 |
| ·InAs/Ga_(1-x)In_xSb生长工艺设计 | 第58-59页 |
| ·InAs/Ga_(1-x)In_xSb应变超品格的光电探测器件模拟设计 | 第59-64页 |
| ·红外探测器的暗电流 | 第59-61页 |
| ·InAs/GaInSb红外探测器件设计 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
