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零维半导体材料的电子结构研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-14页
第一章 绪论第14-36页
   ·纳米半导体材料第14-16页
   ·零维半导体材料的研究现状第16-26页
     ·量子点、量子环的器件应用第16-19页
       ·单电子器件第16-17页
       ·量子点激光器第17页
       ·量子点红外探测器第17-18页
       ·量子点单光子光源第18页
       ·量子环器件第18-19页
     ·零维半导体异质结构的制备第19-23页
       ·应变自组织量子点生长第19-21页
       ·盖层对量子点形貌的影响、量子环的形成第21-22页
       ·液滴外延生长量子点、量子环第22-23页
     ·零维半导体材料的电子结构第23-26页
       ·量子点、量子环的电子结构的研究意义第23-24页
       ·量子点、量子环的电子结构的理论计算方法第24-26页
   ·本论文结构安排第26-29页
 参考文献第29-36页
第二章 多带k·p微扰理论第36-62页
   ·体材料的多带k·p微扰理论第37-47页
     ·k·p微扰的一般理论第37-39页
     ·多带k·p微扰的Kane模型第39-43页
       ·Kane模型的基函数和哈密顿量第40-41页
       ·Kane模型哈密顿量的本征值和本征函数第41-43页
     ·多带k·p微扰的Luttinger-Kohn模型第43-46页
       ·Luttinger-Kohn模型的基函数第43-44页
       ·Luttinger-Kohn模型哈密顿量第44-46页
     ·远带的影响第46-47页
   ·半导体材料的电子和空穴有效质量第47-51页
     ·电子的有效质量第47页
     ·空穴的有效质量第47-51页
   ·零维半导体材料的多带k·p微扰理论第51-60页
     ·量子点的八带k·p哈密顿量第51-53页
     ·平面波展开法第53-57页
     ·傅立叶变换方法计算哈密顿量矩阵元第57-60页
 参考文献第60-62页
第三章 InAs/GaAs量子环和GaAs/AlGaAs同心双量子环的电子结构第62-75页
   ·InAs/GaAs量子环的价带能级第62-69页
     ·k·p微扰理论计算量子环的价带能级——解析积分和傅立叶变换方法的结果比较第62-67页
     ·k·p微扰理论计算量子环的价带能级——四带、六带和八带哈密顿量的结果比较第67-69页
   ·GaAs/AlGaAs同心双量子环的电子结构第69-74页
     ·GaAs/AlGaAs同心双量子环的导带能级第69-71页
     ·GaAs/AlGaAs同心双量子环的基态能级受磁场的影响第71-74页
 参考文献第74-75页
第四章 有限元方法计算量子环的电子结构第75-94页
   ·量子点的弹性应变场第75-80页
     ·量子点应力应变基本理论第75-77页
     ·应变对量子点k·p哈密顿量的影响第77-80页
       ·应变半导体材料的Pikus-Bir哈密顿量第77-79页
       ·应变对异质结构半导体能带带边的修正第79-80页
   ·有限元方法简介第80-83页
     ·有限元方法基本思想第80页
     ·有限元分析第80-83页
       ·有限元方法的数学实现第80-81页
       ·有限元方法处理应力应变问题第81-82页
       ·有限元方法的软件实现第82-83页
   ·GaSb/GaAs量子环的应变分布和空穴能态第83-87页
   ·InAs/GaAs量子环分子的应变分布和电子能级第87-92页
 参考文献第92-94页
第五章 电场、磁场对量子点、量子环电子结构的影响第94-106页
   ·纵向电场对InAs/GaAs量子环分子的电子能级和波函数的影响第94-97页
   ·横向电场对非垂直对准InAs/GaAs量子点分子的电子能级和波函数的影响第97-100页
   ·磁场对GaAs/AIGaAs二维量子环的电子能级和波函数的影响第100-105页
 参考文献第105-106页
第六章 总结与展望第106-109页
   ·论文总结第106-107页
   ·今后工作展望第107-108页
 参考文献第108-109页
致谢第109-111页
攻读博士学位期间发表的论文第111-113页

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