| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-43页 |
| 引言 | 第12-13页 |
| ·SiC材料的基本性质 | 第13-20页 |
| ·SiC材料的结构性质 | 第14-16页 |
| ·SiC的物理和化学性质 | 第16-17页 |
| ·SiC的体单晶和外延薄膜的制备 | 第17-18页 |
| ·SiC的体单晶制备方法 | 第17页 |
| ·SiC外延薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
| ·SiC的器件工艺及其应用 | 第18-20页 |
| ·SiC的器件工艺 | 第18-20页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第20-26页 |
| ·ZnO的结构 | 第21-22页 |
| ·ZnO的基本性质与应用 | 第22-24页 |
| ·ZnO的发光特性 | 第24-25页 |
| ·ZnO的研究现状及发展趋势 | 第25-26页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第26-37页 |
| ·溅射技术 | 第26-27页 |
| ·超声喷雾热分解技术 | 第27-28页 |
| ·溶胶-凝胶技术 | 第28页 |
| ·脉冲激光淀积技术 | 第28-29页 |
| ·液相外延技术 | 第29-30页 |
| ·分子束外延技术 | 第30-32页 |
| ·化学气相淀积技术 | 第32-33页 |
| ·金属有机物化学气相沉积技术 | 第33-37页 |
| ·本论文研究内容和意义 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-43页 |
| 第二章 连通式双反应室MOCVD设备 | 第43-52页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·连通式双反应式MOCVD系统介绍 | 第43-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第三章 Si基SiC薄膜的异质外延 | 第52-82页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·SiC薄膜的生长机理 | 第52-59页 |
| ·薄膜的生长动力学分析 | 第53-56页 |
| ·SiC薄膜的CVD生长热动力学系统及相图 | 第56-59页 |
| ·样品制备 | 第59-60页 |
| ·试验结果及分析 | 第60-77页 |
| ·碳化对SiC结晶的影响 | 第60-65页 |
| ·温度对SiC薄膜质量的影响 | 第65-66页 |
| ·硅源流量对SiC薄膜质量的影响 | 第66-69页 |
| ·最优化生长SiC薄膜 | 第69-75页 |
| ·Si(111)和Si(100)上生长的SiC薄膜对比 | 第75-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第四章 Si基ZnO薄膜的异质外延和特性研究 | 第82-117页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·Si衬底上ZnO薄膜的制备 | 第83-84页 |
| ·RF轰击Si衬底对ZnO薄膜的影响 | 第84-89页 |
| ·其它生长条件对ZnO薄膜的影响 | 第89页 |
| ·过渡层对ZnO薄膜的影响 | 第89-103页 |
| ·直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜 | 第91-95页 |
| ·SiC缓冲层生长ZnO/Si薄膜 | 第95-99页 |
| ·SiC缓冲层粗糙度对ZnO薄膜的影响 | 第99-102页 |
| ·ZnO/SiC/Si结构材料的实际应用 | 第102-103页 |
| ·等离子辅助生长ZnO薄膜 | 第103-111页 |
| ·ZnO的p型掺杂简介 | 第104-105页 |
| ·等离子辅助生长ZnO薄膜 | 第105-111页 |
| ·本章小结 | 第111-113页 |
| 参考文献 | 第113-117页 |
| 第五章 总结 | 第117-120页 |
| 论文期间成果 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122页 |