Epi-SOI硅片制备及表征

摘要	第1-5页
Abstract	第5-7页
目录	第7-9页
第一章 前言	第9-11页
第二章 文献综述	第11-31页
·引言	第11-12页
·技术综述	第12-14页
·SIMOX	第14-27页
·SIMOX历史简述	第14-16页
·SIMOX技术历程	第16-18页
·SIMOX工艺影响因数	第18-22页
·SIMOX工艺缺陷产生机理	第22-24页
·SIMOX缺陷表征	第24-27页
·智能剥离技术Smart-Cut	第27-28页
·SOI硅片中的氧	第28-31页
·SOI硅片中氧的扩散	第28-29页
·SOI硅片中氧相关施主的研究	第29-31页
第三章 实验	第31-36页
·实验设备	第31-34页
·LPE-PE 2061(s)外延炉	第31-32页
·高温热处理设备(扩散炉)	第32页
·扩展电阻测试仪(SRP)	第32-33页
·光学显微镜	第33-34页
·实验样品	第34-36页
第四章 Epi-SOI外延层制备及缺陷表征	第36-51页
·引言	第36页
·实验	第36-37页
·Epi-SOI原生样品外延层缺陷表征	第37-42页
·后续高温处理对外延层缺陷影响	第42-50页
·平面腐蚀	第42-44页
·解理面腐蚀	第44-50页
·本章小结	第50-51页
第五章 热处理对Epi-SOI外延层电学性能影响	第51-58页
·引言	第51-52页
·实验	第52页
·不同热处理方式对外延层电学性能影响	第52-57页
·单步450℃热处理	第52-53页
·高温热处理	第53-57页
·本章小结	第57-58页
第六章 总结	第58-59页
参考文献	第59-65页
附录	第65-66页
致谢	第66页