| 第1章 引言 | 第1-14页 |
| ·SIC 的结构特性 | 第8-9页 |
| ·CVD 法制备SIC 薄膜的研究现状 | 第9-11页 |
| ·非晶SiC 薄膜 | 第9-10页 |
| ·纳米SiC 薄膜 | 第10-11页 |
| ·SIC 材料的器件应用 | 第11-12页 |
| ·SIC 薄膜研究面临的问题 | 第12-13页 |
| ·本研究采用的方法和研究意义 | 第13页 |
| ·主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第2章 实验方法 | 第14-21页 |
| ·实验装置 | 第14-15页 |
| ·LPCVD 系统 | 第14-15页 |
| ·热退火装置 | 第15页 |
| ·实验条件 | 第15-17页 |
| ·本征a-Si_(1-x)C_x:H 薄膜的制备 | 第16-17页 |
| ·掺杂a-Si_(1-x)C_x:H 薄膜的制备 | 第17页 |
| ·热退火的实验条件 | 第17页 |
| ·A-Si_(1-x)C_x:H 薄膜的结构表征 | 第17-20页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第18页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第18-19页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第19页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第19页 |
| ·X 射线衍射谱(XRD) | 第19-20页 |
| ·薄层电阻率的测量 | 第20-21页 |
| 第3章 A-Si_(1-x)C_x:H 薄膜的成份和结构特性 | 第21-29页 |
| ·FTIR 的测试结果与分析 | 第21-24页 |
| ·衬底温度对SiC 薄膜成份的影响 | 第21-23页 |
| ·气体流量比对SiC 薄膜成份的影响 | 第23-24页 |
| ·XPS 的测试结果与分析 | 第24-29页 |
| ·衬底温度对a-Si_(1-x)C_x:H 薄膜元素组成和价键结构的影响 | 第24-27页 |
| ·气体流量比对a-Si_(1-x)C_x:H 薄膜元素组成和价键结构的影响 | 第27-29页 |
| 第4章 A-Si_(1-x)C_x:H 薄膜的生长速率 | 第29-41页 |
| ·A-Si_(1-x)C_x:H 薄膜的生长速率 | 第29-34页 |
| ·膜厚与沉积时间的关系 | 第30-31页 |
| ·薄膜生长速率与衬底温度的关系 | 第31-33页 |
| ·薄膜生长速率与反应压强的关系 | 第33-34页 |
| ·LPCVD 法制备A-Si_(1-x)C_x:H 薄膜的机理 | 第34-35页 |
| ·纳米SIC 薄膜的制备 | 第35-38页 |
| ·工艺条件的选择 | 第36页 |
| ·纳米SiC 薄膜的制备及其表面形貌 | 第36-38页 |
| ·衬底对SIC 薄膜表面形貌的影响 | 第38-41页 |
| 第5章 掺杂A-Si_(1-x)C_x:H 薄膜的电导特性 | 第41-46页 |
| ·掺杂对A-Si_(1-x)C_x:H 薄膜电导特性的影响 | 第41-42页 |
| ·热退火对A-Si_(1-x)C_x:H 薄膜电导特性的影响 | 第42-46页 |
| ·退火时间和B_2H_6 浓度对a-Si_(1-x)C_x:H 薄膜电导特性的影响 | 第42-44页 |
| ·退火温度对a-Si_(1-x)C_x:H 薄膜电导特性的影响 | 第44-46页 |
| 第6章 结束语 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第56页 |
