| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-25页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·InAs/GaSb超晶格材料衬底的选择 | 第14-15页 |
| ·InAs/Ga(In)Sb 应变超晶格材料特点 | 第15-21页 |
| ·InAs/Ga(In)Sb 应变超晶格的能带结构 | 第15-18页 |
| ·InAs/Ga(In)Sb应变层超晶格的界面类型 | 第18-20页 |
| ·InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面反应 | 第20-21页 |
| ·InAs/GaInSb超晶格红外探测器研究的发展现状 | 第21-23页 |
| ·论文的选题意义及主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 实验方法 | 第25-36页 |
| ·分子束外延（MBE）生长技术 | 第25-29页 |
| ·分子束外延生长原理 | 第25-26页 |
| ·分子束外延生长系统 | 第26-27页 |
| ·反射式高能电子衍射仪（RHEED） | 第27-29页 |
| ·分子束外延技术的工艺过程 | 第29页 |
| ·样品的分析和表征技术 | 第29-36页 |
| ·原子力显微镜（AFM）技术 | 第29-31页 |
| ·透射电子显微镜（TEM）技术 | 第31-32页 |
| ·拉曼散射（Raman）光谱测量技术 | 第32-34页 |
| ·光致发光测量技术(photoluminescence,PL) | 第34-36页 |
| 第3章 GaSb薄膜的分子束外延生长和光电性能研究 | 第36-54页 |
| ·GaSb薄膜的分子束外延生长 | 第37-43页 |
| ·GaSb薄膜生长的RHEED观察 | 第37-39页 |
| ·GaSb/GaAs薄膜的外延生长模式 | 第39-40页 |
| ·GaSb薄膜中的位错分析 | 第40-43页 |
| ·低温GaSb缓冲层技术研究 | 第43-47页 |
| ·低温GaSb缓冲层的生长速率对位错密度的影响 | 第44-45页 |
| ·低温GaSb缓冲层的厚度对位错密度的影响 | 第45-46页 |
| ·低温GaSb缓冲层的V/III束流比对位错密度的影响 | 第46-47页 |
| ·GaSb薄膜的表面形貌分析 | 第47-48页 |
| ·GaSb薄膜的TEM观察分析 | 第48-50页 |
| ·GaSb外延薄膜的光电性质 | 第50-53页 |
| ·GaSb外延薄膜的电学特性研究 | 第50-51页 |
| ·GaSb外延膜的光致发光谱分析 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 GaSb薄膜中位错的高分辩X射线衍射研究 | 第54-75页 |
| ·高分辨X射线衍射(HRXRD)技术原理 | 第54-57页 |
| ·GaSb薄膜的错向角研究 | 第57-65页 |
| ·错向角的测量及实验结果 | 第58-60页 |
| ·错向角的成因及失配位错分析 | 第60-65页 |
| ·GaSb外延层的共格长度研究 | 第65-68页 |
| ·外延薄膜中的镶嵌结构（Mosaic Structure） | 第65-66页 |
| ·W illianson－Hall方法 | 第66页 |
| ·GaSb 薄膜共格长度方向性的分析 | 第66-68页 |
| ·GaSb 薄膜的斜对称衍射分析 | 第68-73页 |
| ·入射方位角对GaSb 薄膜FWHM 的影响 | 第68-70页 |
| ·GaSb薄膜各衍射面的斜对称衍射的FWHM分析 | 第70-71页 |
| ·位错密度对非对称衍射FWHM的影响机理 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第5章 GaAs/GaAsSb 超晶格结构及Sb/As置换反应研究 | 第75-88页 |
| ·GaAs/GaAsSb超晶格的分子束外延生长 | 第75-76页 |
| ·GaAs/GaAsSb 超晶格的结构研究 | 第76-79页 |
| ·GaAs/GaAsSb 超晶格的周期的测量 | 第76-78页 |
| ·GaAs/GaAsSb超晶格层厚的测定 | 第78-79页 |
| ·生长参数对As/Sb反应的影响 | 第79-84页 |
| ·衬底温度对Sb/As交换反应的影响 | 第79-81页 |
| ·Sb暴露时间对Sb/As置换反应的影响 | 第81-83页 |
| ·Sb束流对Sb/As置换反应的影响 | 第83-84页 |
| ·Sb/As置换反应的机理研究 | 第84-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第6章 InAs/GaSb超晶格界面结构研究 | 第88-108页 |
| ·InAs/GaSb超晶格的分子束外延生长 | 第89-93页 |
| ·InAs/GaSb超晶格的HRXRD分析 | 第93-101页 |
| ·InAs/GaSb超晶格界面结构对应变状态的影响 | 第93-95页 |
| ·InAs/GaSb超晶格界面生长工艺 | 第95-97页 |
| ·InAs/GaSb超晶格界面粗糙度分析 | 第97-99页 |
| ·周期厚度对InAs/GaSb超晶格应变的影响 | 第99-101页 |
| ·InAs/GaSb超晶格界面结构的拉曼光谱分析 | 第101-103页 |
| ·InAs/GaSb超晶格的HRTEM研究 | 第103-107页 |
| ·InAs/GaSb超晶格中的位错分析 | 第103-105页 |
| ·InAs/GaSb超晶格的界面结构研究 | 第105-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 结论 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-121页 |
| 攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第121-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
| 个人简历 | 第124页 |
