硅基GaN薄膜制备及紫外探测器的初步研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-31页 |
| 2．1 Ⅲ族氮化物的物理性质 | 第11-14页 |
| 2．2 GaN材料的制备方法 | 第14-22页 |
| 2．2．1 GaN体单晶生长 | 第14页 |
| 2．2．2 GaN外延生长技术 | 第14-20页 |
| 2．2．3 GaN材料生长技术发展趋势 | 第20-22页 |
| 2．3 GaN材料的掺杂 | 第22-23页 |
| 2．4 GaN材料的器件应用 | 第23-27页 |
| 2．5 立题思路和意义 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 GaN薄膜生长及器件制造工艺 | 第31-41页 |
| 3．1 GaN材料外延生长系统 | 第31-33页 |
| 3．2 GaN外延生长工艺 | 第33-37页 |
| 3．2．1 衬底的选择 | 第33页 |
| 3．2．2 衬底的清洗 | 第33-35页 |
| 3．2．3 外延生长过程 | 第35页 |
| 3．2．4 测试手段 | 第35-37页 |
| 3．3 GaN紫外探测器制造工艺 | 第37-41页 |
| 3．3．1 金属电极的溅射 | 第37页 |
| 3．3．2 光刻步骤 | 第37-41页 |
| 第四章 Si基GaN外延层的生长及测试分析 | 第41-46页 |
| 4．1 样品制备和测试 | 第41-42页 |
| 4．2 样品的晶体学分析 | 第42-44页 |
| 4．3 样品的发光特性分析 | 第44-45页 |
| 4．4 样品的电学特性分析 | 第45页 |
| 4．5 小结 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第五章 Si基GaN的p型掺杂研究 | 第46-51页 |
| 5．1 引言 | 第46-47页 |
| 5．2 实验过程 | 第47页 |
| 5．3 实验结果分析和讨论 | 第47-50页 |
| 5．4 小结 | 第50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第六章 GaN紫外探测器的初步研究 | 第51-61页 |
| 6．1 引言 | 第51-52页 |
| 6．2 实验过程 | 第52-53页 |
| 6．3 实验结果分析和讨论 | 第53-60页 |
| 6．4 小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第七章 实验结论 | 第61-62页 |
| 致 谢 | 第62-63页 |
| 在读期间发表的论文 | 第63页 |
