助溶剂法不同形貌SiC晶体的生长
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| ·SIC材料简介 | 第9-13页 |
| ·SiC的结构 | 第9-10页 |
| ·SiC的性质及用途 | 第10-13页 |
| ·SiC的光学性质 | 第10页 |
| ·SiC的硬度和耐磨性 | 第10-11页 |
| ·SiC的稳定性 | 第11页 |
| ·SiC的电学性质 | 第11-13页 |
| ·SIC单晶的制备 | 第13-15页 |
| ·纳米材料与纳米效应 | 第15-17页 |
| ·纳米材料简介 | 第15页 |
| ·纳米效应 | 第15-17页 |
| ·小尺寸效应 | 第15-16页 |
| ·表面效应 | 第16页 |
| ·量子尺寸效应 | 第16页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第16-17页 |
| ·SIC晶须简介 | 第17-20页 |
| ·SiC晶须性质及应用 | 第17-18页 |
| ·SiC晶须制备研究进展 | 第18-20页 |
| ·选题思想及研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 实验装置及测试方法 | 第22-27页 |
| ·原始材料 | 第22页 |
| ·实验设备 | 第22-23页 |
| ·合金配制设备 | 第22页 |
| ·助溶剂法晶体生长设备 | 第22页 |
| ·其它辅助设备 | 第22-23页 |
| ·实验方法 | 第23页 |
| ·单晶生长实验方法 | 第23页 |
| ·纳米生长实验方法 | 第23页 |
| ·测试方法 | 第23-27页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第23-24页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第24页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)分析 | 第24-25页 |
| ·拉曼光谱(Raman)分析 | 第25-26页 |
| ·红外吸收光谱(IR)分析 | 第26-27页 |
| 第3章 FESI熔体中助溶剂法SIC晶体的生长 | 第27-38页 |
| ·SIC单晶的制备 | 第27页 |
| ·测试与表征 | 第27-28页 |
| ·XRD分析 | 第28页 |
| ·单晶形貌分析 | 第28-31页 |
| ·单晶生长机理研究 | 第31-33页 |
| ·RAMAN光谱分析 | 第33-34页 |
| ·低真空度实验研究 | 第34-36页 |
| ·小结 | 第36-38页 |
| 第4章 FESI熔体中SIC纳米晶须的生长 | 第38-51页 |
| ·SIC纳米晶须的制备 | 第38-39页 |
| ·晶须的测试与表征 | 第39页 |
| ·XRD分析 | 第39-40页 |
| ·SIC晶须形貌分析 | 第40-41页 |
| ·TEM和HRTEM分析 | 第41-43页 |
| ·SIC纳米晶须生成机理分析 | 第43-48页 |
| ·RAMAN分析 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 第5章 NISI熔体中SIC纳米晶须的生长 | 第51-64页 |
| ·SIC纳米晶须制备 | 第51页 |
| ·测试与表征 | 第51页 |
| ·XRD分析 | 第51-52页 |
| ·晶须形貌分析 | 第52-54页 |
| ·TEM表征 | 第54-56页 |
| ·晶须形成机理分析 | 第56-59页 |
| ·RAMAN光谱分析 | 第59-60页 |
| ·坩埚壁上SIC晶须的生长 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62-64页 |
| 第6章 总结与展望 | 第64-67页 |
| ·总结 | 第64-66页 |
| ·展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
