| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 1 绪论 | 第13-33页 |
| ·ZnO材料研究的意义与进展 | 第13-18页 |
| ·ZnO的基本性质简介 | 第18-19页 |
| ·ZnO材料的基本应用 | 第19-22页 |
| ·压电特性的应用 | 第19-20页 |
| ·与GaN互作缓冲层 | 第20页 |
| ·制作紫外光探测器 | 第20-21页 |
| ·ZnO发光管和激光器 | 第21-22页 |
| ·三元材料MgZnO的性质与研究进展 | 第22-29页 |
| ·MgznO的基本性质 | 第22-26页 |
| ·MgznO合金材料的研究进展 | 第26-29页 |
| ·MgZnO材料的生长方法与现阶段存在的局限性 | 第29-31页 |
| ·溅射(Sputtering): | 第29页 |
| ·脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition) | 第29页 |
| ·分子束外延(Molecular Beam Epitaxy) | 第29-30页 |
| ·金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition): | 第30-31页 |
| ·化学溶液涂层法(chemical spray pyrolysis) | 第31页 |
| ·本论文的主要工作 | 第31-33页 |
| 2 实验设备与样品的表征技术 | 第33-51页 |
| ·MOCVD生长MgZnO合余薄膜源材料的选择 | 第33-36页 |
| ·附加等离子体增强MOCVD系统的设计 | 第36-40页 |
| ·样品分析和表征技术 | 第40-51页 |
| ·晶体质量测试技术 | 第40-41页 |
| ·样品化学成分及状态的分析技术 | 第41-42页 |
| ·表面及断面形貌测试技术 | 第42-46页 |
| ·光学特性测试技术 | 第46-48页 |
| ·电学特性测试技术 | 第48-51页 |
| 3 MgZnO薄膜的生长、优化及特性研究 | 第51-71页 |
| ·生长MgZnO薄膜的衬底选择 | 第51-52页 |
| ·薄膜的生长过程与生长模式 | 第52-53页 |
| ·在蓝宝石衬底上MgZnO薄膜的制备与优化 | 第53-65页 |
| ·蓝宝石衬底上MgZnO薄膜的制备过程 | 第54页 |
| ·蓝宝石衬底上MgZnO薄膜生长条件的优化 | 第54-65页 |
| ·在GaAs衬底上生长MgZnO薄膜的制备与优化 | 第65-66页 |
| ·在GaAs衬底上MgZnO薄膜的制备与质量的优化 | 第65页 |
| ·GaAs衬底上生长的MgZnO薄膜XPS的初步研究 | 第65-66页 |
| ·蓝宝石与GaAs衬底上生长MgZnO薄膜的特性比较 | 第66-69页 |
| ·结构特性的比较 | 第67页 |
| ·表面形貌的比较 | 第67-68页 |
| ·光学特性的比较 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 4 MgZnO薄膜的退火研究 | 第71-86页 |
| ·MgZnO薄膜内缺陷状态简介 | 第71-72页 |
| ·氮气退火对薄膜质量影响的研究 | 第72-74页 |
| ·氧气退火对薄膜质量影响的研究 | 第74-76页 |
| ·真空退火对薄膜质量影响的研究 | 第76-83页 |
| ·真空退火对发光特性的影响 | 第77页 |
| ·真空退火对晶体结构的影响 | 第77-78页 |
| ·真空退火对表面与断面形貌的影响 | 第78-80页 |
| ·真空退火对各元素含量的影响 | 第80-83页 |
| ·氮气、氧气与高温真空退火对样品的电学特性的影响分析 | 第83-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 5 MgZnO相关结型器件制备与研究 | 第86-110页 |
| ·薄膜内缺陷和现有的p型掺杂方法介绍 | 第86-87页 |
| ·薄膜内缺陷对p型掺杂影响简介 | 第86页 |
| ·现有的p型掺杂方法介绍 | 第86-87页 |
| ·用热扩散方法在GaAs衬底上制备p-MgZnO的可行性分析 | 第87-89页 |
| ·GaAs衬底上的p-MgZnO薄膜制备与特性研究 | 第89-94页 |
| ·退火过程中氧气压强对MgZnO薄膜内As存在状态的影响 | 第89-91页 |
| ·退火过程中氧气压强对MgZnO薄膜晶体质量的影响 | 第91-92页 |
| ·退火过程中氧气压强对MgznO薄膜光学特性的影响 | 第92-93页 |
| ·退火过程中氧气压强对MgZnO薄膜电学特性的影响 | 第93-94页 |
| ·MgZnO基p-n同质节器件的制备与特性分析 | 第94-105页 |
| ·MgZnO基p-n同质节器件的制备方法 | 第94-97页 |
| ·MgZnO基p-n同质节器件的特性分析 | 第97-105页 |
| ·p-MgZnO/n-ZnO异质节发光器件的制备与特性研究 | 第105-108页 |
| ·p-MgznO/n-ZnO异质节发光器件的制备 | 第105页 |
| ·p-MgZnO/n-ZnO异质节发光器件的特性研究 | 第105-108页 |
| ·本章小结 | 第108-110页 |
| 结论 | 第110-112页 |
| 本论文的创新点 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-121页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第121-123页 |
| 致谢 | 第123-125页 |
