当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
--
一般性问题
Si基SiC薄膜和低维SiO2的生长及其光致发光机理研究
动力学蒙特卡罗法仿真量子点生长过程的统计分析与参数优化
Si/InP晶片低温键合技术的理论分析和实验研究
横向外延技术的理论分析与两步生长法的实验研究
基于磁控溅射技术的表面增强拉曼散射（SERS）基底制备及其特性研究
硅纳米材料的制备及其光学特性研究
应变锗材料的制备及其表征
多功能ZnO薄膜的制备与性能研究
Ⅲ-Ⅴ族量子结构材料生长及相关自旋电子学的研究
一维半导体纳米材料的制备与性能研究
ZnO薄膜的制备及其特性研究
CVD工艺制备二氧化锡纳米材料
介孔氧化锰及其复合材料在液晶模板中的制备及性能研究
有机硅表面修饰的SiO2及磁性粒子的制备、表征及吸附性能研究
多功能半导体材料测试仪的设计
高质量SnO2薄膜的制备及特性研究
脉冲激光沉积法制备β-FeSi2半导体薄膜的研究
低温等离子体增强电子束蒸发沉积TiN的研究
环境半导体材料Ca2Si的制备及其光电特性研究
ZnO荧光薄膜的制备与硫化研究
晶圆低温键合的理论及实验研究
采用MOCVD方法在Si和InP衬底上制备ZnO薄膜及其发光器件
ZnO：Al透明导电薄膜与ZnO器件的制备及性质的研究
半导体ZnO和ZnS纳米结构的制备与表征
PdPc-PANI杂化有机半导体膜及气敏机理的研究
PECVD法制备纳米硅薄膜及其研究
PECVD法制备氢化非晶硅薄膜及其金属诱导晶化研究
碲纳米线制备及生长机制研究
磷掺杂p型氧化锌薄膜的制备和性能
MgZnO合金薄膜材料的制备、结构及性能研究
As掺杂p型ZnO薄膜的生长及ZnO/GaAs异质结电致发光特性的研究
(Bi，Nd)4（Ti，V）3O12铁电薄膜的制备及薄膜印记失效分析
强流氧离子注入机高温旋转扫描靶的研究
外场作用下的铁电薄膜相变及电畴翻转
1.2μm InGaAs/GaAs高应变量子阱材料的生长及特性研究
RF-PECVD法制备类金刚石薄膜的研究
水溶性CdTe荧光量子点的制备及其光学性质的研究
薄膜热导率的测试与分子动力学模拟研究
金属诱导横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管热载流子应力下漏电特性及机制研究
SiC薄膜的制备以及光电发射性质
脉冲激光制备ZnO薄膜机理的研究
PLD法制备ZnO薄膜及其特性研究
取向ZnO纳米线阵列的制备及特性研究
氧化锡纳米线的制备及表征
氮化镓纳米颗粒的制备及性质研究
MgZnO：Al透明导电膜的制备与特性研究
ZnMnO薄膜的制备及性质研究
神经网络PID算法在坩埚旋转与位置控制中的应用
脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及其光电性质研究
脉冲激光沉积制备AlN薄膜的研究
上一页
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
下一页
