| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·研究的背景及意义 | 第9-11页 |
| ·论文的结构安排 | 第11-13页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章 MOCVD生长技术及晶体质量测试方法 | 第14-30页 |
| ·外延技术及MOCVD | 第14-20页 |
| ·半导体异质材料的生长方法 | 第14-18页 |
| ·金属有机化学气相沉积的生长动力学原理 | 第18-20页 |
| ·晶体生长质量的测试方法 | 第20-27页 |
| ·X射线衍射技术(XRD) | 第20-22页 |
| ·光致发光技术(PL) | 第22-25页 |
| ·扫描电子显微镜技术(SEM) | 第25-26页 |
| ·透射电子显微镜术(TEM) | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-30页 |
| 第三章 GaAs/Si大失配异质结构的应变和应力分布模型 | 第30-45页 |
| ·晶格失配应变和应力分析模型 | 第30-34页 |
| ·热失配应变和应力分析模型 | 第34-37页 |
| ·晶格失配和热失配共同导致的应变和应力分布模型 | 第37-38页 |
| ·GaAs/Si大失配异质结构的仿真与分析 | 第38-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第四章 GaAs/Si大失配异质外延的实验研究 | 第45-55页 |
| ·大失配异质外延需解决的问题 | 第45-46页 |
| ·基于低温缓冲层的GaAs/Si异质外延生长 | 第46-52页 |
| ·实验方案 | 第48页 |
| ·实验测试数据分析 | 第48-52页 |
| ·结论 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第五章 BGaAs/GaAs和BInGaAs/GaAs异质外延的实验研究 | 第55-70页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·基于缓冲层的BGaAs/GaAs异质外延生长 | 第56-64页 |
| ·实验方案 | 第56-57页 |
| ·实验数据整理与分析 | 第57-64页 |
| ·结论 | 第64页 |
| ·基于缓冲层的BInGaAs/GaAs异质外延生长 | 第64-68页 |
| ·实验方案 | 第64-65页 |
| ·实验数据整理与分析 | 第65-68页 |
| ·结论 | 第68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 附录 | 第70-73页 |
| 附录1 大失配异质外延结构的应变应力模型Matlab仿真程序 | 第70-72页 |
| 附录2 材料的基本物理性质 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第74页 |
