| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-36页 |
| §1.1 ZnO的结构和性质 | 第14-18页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第14-15页 |
| ·ZnO薄膜的光学性质 | 第15-16页 |
| ·ZnO薄膜的电学性质 | 第16-18页 |
| ·本征ZnO薄膜的电学性能 | 第16-17页 |
| ·ZnO薄膜的n型掺杂 | 第17页 |
| ·ZnO薄膜的p型掺杂 | 第17-18页 |
| ·ZnO合金薄膜的能带调制 | 第18页 |
| §1.2 ZnO薄膜的应用 | 第18-21页 |
| ·太阳能电池透明电极 | 第19页 |
| ·压敏元件 | 第19页 |
| ·气敏元件 | 第19页 |
| ·发光器件 | 第19-20页 |
| ·紫外光探测器 | 第20-21页 |
| §1.3 ZnO薄膜的制备方法 | 第21-25页 |
| ·化学气相淀积技术 | 第21-22页 |
| ·溅射 | 第22-23页 |
| ·溶胶—凝胶 | 第23-24页 |
| ·分子束外延 | 第24-25页 |
| ·其它薄膜制备方法 | 第25页 |
| §1.4 ZnO薄膜的研究进展 | 第25-31页 |
| ·优质ZnO薄膜的外延生长 | 第26-28页 |
| ·p型ZnO薄膜的研究 | 第28-29页 |
| ·Mn掺杂的ZnO薄膜 | 第29-30页 |
| ·同步辐射在ZnO表征中的研究进展 | 第30-31页 |
| §1.5 本论文的选题 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-36页 |
| 第二章 脉冲激光淀积(PLD)技术及其应用 | 第36-57页 |
| §2.1 PLD技术的工作原理 | 第37-43页 |
| ·PLD的基本物理过程 | 第37-38页 |
| ·脉冲激光淀积技术制备薄膜的理论模型 | 第38-43页 |
| ·Singh-Narayan(S-N)理论模型 | 第39-40页 |
| ·Zhang-Li(Z-L)理论模型 | 第40-43页 |
| §2.2 PLD技术的设备和工艺 | 第43-49页 |
| ·PLD技术的设备 | 第43-46页 |
| ·PLD技术的实验工艺 | 第46-48页 |
| ·PLD技术的优势和不足 | 第48-49页 |
| §2.3 PLD技术的应用 | 第49-55页 |
| ·PLD制备超导薄膜 | 第49-50页 |
| ·PLD制备铁电薄膜 | 第50-51页 |
| ·PLD制备纳米棒 | 第51-52页 |
| ·PLD制备量子点 | 第52-53页 |
| ·PLD制备ZnO薄膜 | 第53-55页 |
| §2.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第三章 在Si衬底上ZnO薄膜的生长及其结构和发光性质的研究 | 第57-77页 |
| §3.1 ZnO薄膜的制备 | 第57-58页 |
| §3.2 ZnO薄膜生长条件的优化 | 第58-64页 |
| ·衬底温度对薄膜生长的影响 | 第58-59页 |
| ·氧气氛对薄膜生长的影响 | 第59-61页 |
| ·激光能量对薄膜生长的影响 | 第61-62页 |
| ·激光脉冲频率对薄膜生长的影响 | 第62-64页 |
| ·优化条件生长的ZnO薄膜的XRD结果 | 第64页 |
| §3.3 ZnO薄膜的同步辐射结构表征 | 第64-71页 |
| ·X射线吸收精细结构(XAFS)分析 | 第65-67页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第67-68页 |
| ·同步辐射掠入射X射线衍射结果 | 第68-71页 |
| §3.4 ZnO薄膜的发光特性的研究 | 第71-75页 |
| ·以激光为激发源的光致发光(PL) | 第71-73页 |
| ·低温下的同步辐射光致发光谱 | 第73-75页 |
| §3.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-77页 |
| 第四章 Mn掺杂对ZnO薄膜结构和光学性质的影响 | 第77-89页 |
| §4.1 薄膜的制备和测试方法 | 第78-79页 |
| §4.2 结果和讨论 | 第79-87页 |
| ·光致发光结果 | 第79-80页 |
| ·XPS结果 | 第80页 |
| ·XRD分析 | 第80-81页 |
| ·XAFS的实验结果 | 第81-83页 |
| ·Raman分析 | 第83-85页 |
| ·讨论 | 第85-87页 |
| §4.3 本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-89页 |
| 第五章 在SiC或以SiC为缓冲层的Si上生长ZnO薄膜及ZnO/SiC界面研究 | 第89-108页 |
| §5.1 在Si表面以SiC为过渡层的ZnO薄膜的生长及其结构的研究 | 第90-94页 |
| ·SiC过渡层的制备 | 第90页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第90-91页 |
| ·衬底温度对薄膜结构的影响 | 第91-92页 |
| ·氧气氛对薄膜结构的影响 | 第92-93页 |
| ·过渡层对ZnO薄膜的电学性质的影响 | 第93-94页 |
| §5.2 单晶SiC表面ZnO薄膜的生长及其结构和发光性质的研究 | 第94-97页 |
| ·常规XRD结果 | 第94-95页 |
| ·同步辐射掠入射X射线衍射结果 | 第95-96页 |
| ·光致发光结果 | 第96-97页 |
| §5.3 ZnO/SiC界面的同步辐射光电子能谱研究 | 第97-106页 |
| ·实验 | 第97-98页 |
| ·结果和讨论 | 第98-106页 |
| §5.4 本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-108页 |
| 第六章 在Al_2O_3上生长ZnO薄膜及其界面结构的研究 | 第108-123页 |
| §6.1 ZnO薄膜的制备 | 第108-109页 |
| §6.2 ZnO薄膜生长条件的优化 | 第109-114页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜结晶质量的影响 | 第109-111页 |
| ·氧气氛对ZnO薄膜结晶质量的影响 | 第111-113页 |
| ·优化条件下生长的ZnO薄膜的XRD结果 | 第113-114页 |
| §6.3 ZnO薄膜的同步辐射掠入射X射线衍射和反射研究 | 第114-121页 |
| ·掠入射X射线衍射的探测深度 | 第114-115页 |
| ·衬底温度对ZnO/Al_2O_3界面结构的影响 | 第115-118页 |
| ·氧气氛对ZnO/Al_2O_3界面结构的影响 | 第118-120页 |
| ·ZnO薄膜的掠入射X射线反射研究 | 第120-121页 |
| §6.4 本章小结 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-123页 |
| 发表论文 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125页 |
