| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-15页 |
| ·多晶Si薄膜的器件应用 | 第9-11页 |
| ·多晶Si薄膜在微电子器件中的应用 | 第9-10页 |
| ·多晶Si薄膜在太阳能电池中的应用 | 第10页 |
| ·多晶Si薄膜在微电子系统(MEMS)的应用 | 第10-11页 |
| ·纳米多晶Si薄膜的研究现状 | 第11页 |
| ·纳米多晶Si薄膜的制备方法 | 第11-12页 |
| ·低压化学气相沉积(LPCVD) | 第12页 |
| ·固相晶化(SPC) | 第12页 |
| ·准分子激光晶化(ELC) | 第12页 |
| ·多晶Si薄膜的掺杂方式 | 第12-13页 |
| ·扩散掺杂 | 第12-13页 |
| ·离子注入 | 第13页 |
| ·原位掺杂 | 第13页 |
| ·本研究采取的方法和研究意义 | 第13-15页 |
| 第2章 实验方法 | 第15-21页 |
| ·实验装置 | 第15-16页 |
| ·LPCVD装置 | 第15-16页 |
| ·热退火装置 | 第16页 |
| ·实验条件 | 第16-18页 |
| ·B掺杂纳米多晶Si薄膜的制备 | 第17页 |
| ·热退火的实验条件 | 第17-18页 |
| ·B掺杂纳米多晶Si薄膜的结构表征 | 第18-19页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第18页 |
| ·原子力显微镜 | 第18页 |
| ·拉曼散射 | 第18-19页 |
| ·α-台阶仪 | 第19页 |
| ·薄层电阻R_s和电阻R的测量 | 第19-21页 |
| 第3章 掺B纳米多晶Si薄膜的生长速率 | 第21-31页 |
| ·B掺杂纳米晶粒多晶Si薄膜的沉积机理 | 第21-24页 |
| ·多晶Si薄膜沉积过程 | 第21页 |
| ·B掺杂纳米多晶Si薄膜低压化学气相生长过程 | 第21-24页 |
| ·B掺杂纳米多晶Si薄膜的生长速率 | 第24-31页 |
| ·薄膜生长速率与SiH_4流量的关系 | 第24-25页 |
| ·薄膜生长速率与B_2H_6流量的依赖关系 | 第25-27页 |
| ·衬底温度对B掺杂多晶Si薄膜生长速率的影响 | 第27-28页 |
| ·薄膜生长速率与气体总压强的依赖关系 | 第28-29页 |
| ·薄膜沉积速率与生长时间的依赖关系 | 第29-31页 |
| 第4章 B掺杂纳米多晶Si薄膜的微结构特征 | 第31-38页 |
| ·硼掺杂对沉积Si薄膜微结构的影响 | 第31-32页 |
| ·退火处理对B掺杂Si膜微结构的影响 | 第32-38页 |
| ·不同沉积温度的B掺杂纳米多晶Si膜SEM像 | 第33-34页 |
| ·同一退火条件下不同B_2H_6流量下Si薄膜的SEM像 | 第34-35页 |
| ·多晶Si膜的拉曼谱和AFM测量 | 第35-36页 |
| ·退火条件对纳米晶粒多晶Si薄膜微结构的影响 | 第36-38页 |
| 第5章 B掺杂纳米多晶Si薄膜的电学特性 | 第38-47页 |
| ·掺杂流量对纳米多晶Si薄膜电导特性的影响 | 第38-39页 |
| ·掺杂流量对不同压强沉积的纳米多晶Si薄膜电学特性的影响 | 第39-40页 |
| ·退火条件对纳米多晶Si薄膜电学特性的影响 | 第40-42页 |
| ·样品电阻的I/V测试 | 第42-43页 |
| ·对原位B掺杂纳米多晶Si薄膜电学机制的初步探讨 | 第43-47页 |
| ·掺杂单晶Si和多晶Si的导电机理 | 第43-44页 |
| ·多晶硅串联电阻模型 | 第44-47页 |
| 第6章 结束语 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第52页 |