| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·自组装单分子膜的结构及其自组装机理 | 第11-15页 |
| ·自组装单分子膜的结构 | 第11-12页 |
| ·自组装单分子膜的种类及其成膜机理 | 第12-15页 |
| ·自组装单分子膜表面上金属再沉积特性研究进展 | 第15-16页 |
| ·自组装单分子膜在化学气相沉积铜薄膜中的应用 | 第16-20页 |
| ·传统的扩散阻挡层 | 第17-19页 |
| ·自组装单分子膜作为扩散阻挡层 | 第19-20页 |
| ·本论文工作 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-27页 |
| 第二章 在末端功能基团为甲基的自组装单分子膜上化学气相沉积铜薄膜研究 | 第27-55页 |
| ·前言 | 第27-29页 |
| ·实验操作 | 第29-35页 |
| ·实验药品及材料 | 第29-30页 |
| ·实验仪器 | 第30-32页 |
| ·分析仪器 | 第32-33页 |
| ·实验步骤 | 第33-35页 |
| ·实验结果及分析 | 第35-51页 |
| ·PTMS 成膜分析 | 第35-42页 |
| ·铜在PTMS-SAMs改性的基材表面上的化学气相沉积 | 第42-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第三章 在末端功能基团为吡啶的自组装单分子膜上化学气相沉积铜薄膜研究 | 第55-75页 |
| ·前言 | 第55-56页 |
| ·实验操作 | 第56-57页 |
| ·实验药品及材料 | 第56页 |
| ·实验仪器 | 第56页 |
| ·分析仪器 | 第56-57页 |
| ·实验步骤 | 第57页 |
| ·实验结果及分析 | 第57-72页 |
| ·TMSEP成膜分析 | 第57-62页 |
| ·铜在TMSEP-SAMs改性的基材表面上的化学气相沉积 | 第62-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第四章 自组装单分子膜影响铜薄膜沉积的因素分析 | 第75-87页 |
| ·前言 | 第75-76页 |
| ·SAMs 中不同类型末端功能基团对CVD Cu的影响 | 第76-82页 |
| ·不同SAMs的成膜厚度 | 第77-78页 |
| ·不同SAMs对Cu成核及生长的影响 | 第78-81页 |
| ·SAMs末端功能基团对CVD Cu薄膜的影响 | 第81-82页 |
| ·末端功能基团的空间构型对CVD Cu薄膜的影响 | 第82-84页 |
| ·末端功能基团为2位吡啶和3位吡啶的SAMs阻挡层效能比较 | 第82-84页 |
| ·末端功能基团的空间构型对CVD Cu薄膜的影响 | 第84页 |
| ·小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 总结和展望 | 第87-89页 |
| 总结 | 第87-88页 |
| 展望 | 第88-89页 |
| 硕士期间发表论文 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90页 |
