| 第1章 引言 | 第1-12页 |
| ·栅介质的研究历史与发展趋势 | 第8-10页 |
| ·超薄层SiO_xN_y栅介质薄膜的制备与研究进展 | 第10-11页 |
| ·本研究采取的方法和研究意义 | 第11-12页 |
| 第2章 实验方法 | 第12-17页 |
| ·实验装置 | 第12-13页 |
| ·SiO_xN_y薄膜制备的实验装置 | 第12-13页 |
| ·MOS结构的制备 | 第13页 |
| ·超薄SiO_xN_y膜厚及N含量的测量 | 第13-15页 |
| ·α—台阶仪 | 第13-14页 |
| ·X射线光电子谱(XPS) | 第14-15页 |
| ·SiO_xN_y栅介质MOS结构电学特性的测量 | 第15-17页 |
| ·MOS电容的测量 | 第15页 |
| ·MOS电容泄漏电流的测量 | 第15-16页 |
| ·MOS电容的击穿电压 | 第16-17页 |
| 第3章 超薄SiO_xN_y薄膜的生长速率 | 第17-28页 |
| ·SiO_xN_y薄膜的热生长机理 | 第17-21页 |
| ·Si的热氧化机理 | 第17-18页 |
| ·Si的热氮化生长过程 | 第18-21页 |
| ·超薄SiO_xN_y薄膜的生长速率 | 第21-28页 |
| ·SiO_xN_y薄膜生长速率与氮化温度的关系 | 第22-23页 |
| ·SiO_xN_y薄膜生长速率与氮化时间的关系 | 第23-24页 |
| ·SiO_xN_y薄膜生长速率与氮化气氛的关系 | 第24-26页 |
| ·SiO_xN_y薄膜生长速率与Si衬底晶向的关系 | 第26-28页 |
| 第4章 SiO_xN_y膜层的结构特性 | 第28-41页 |
| ·超簿SiO_xN_y薄膜中N的布布 | 第28-30页 |
| ·不同热氮化工艺对超薄SiO_xN_y薄膜中N键合方式的影响 | 第30-38页 |
| ·N_2O气氛中直接热氮化制备SiO_xN_y薄膜 | 第30-32页 |
| ·NH_3气氛中直接热氮化Si再氧化退火制备SiO_xN_y薄膜 | 第32-35页 |
| ·NH_3气氛中退火SiO_2制备SiO_xN_y薄膜 | 第35-38页 |
| ·SiO_xN_y薄膜中N的含量 | 第38-41页 |
| ·N_2O气氛中直接氮化制备SiO_xN_y薄膜的N含量 | 第39页 |
| ·在NH_3气氛中直接氮化后再氧化退火制备SiO_xN_y薄膜的N含量 | 第39-40页 |
| ·NH_3气氛中氮化SiO_2制备SiO_xN_y薄膜的N含量 | 第40-41页 |
| 第5章 SiO_xN_y栅介质MOS结构的电学特性 | 第41-46页 |
| ·MOS结构的制备 | 第41页 |
| ·真空镀铝 | 第41页 |
| ·光刻 | 第41页 |
| ·不同MOS样片栅介质的制备工艺参数 | 第41-42页 |
| ·SiO_xN_y膜的介电常数 | 第42页 |
| ·SiO_xN_y栅介质MOS的泄漏电流 | 第42-44页 |
| ·MOS结构的击穿电压 | 第44-46页 |
| 第6章 结束语 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第53页 |
