| 第一章 引言 | 第1-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-32页 |
| 第一节 GaN基材料生长及特性 | 第12-18页 |
| 2．1．1 GaN基材料特性 | 第12-14页 |
| 2．1．2 Ⅲ-N材料生长 | 第14-18页 |
| 第二节 GaN的接触及腐蚀 | 第18-20页 |
| 第三节 Ⅲ-N器件及应用 | 第20-27页 |
| 2．3．1 GaN基高温、大功率电子器件 | 第20-22页 |
| 2．3．2 GaN基光电器件 | 第22-27页 |
| 第四节 MBE技术 | 第27-30页 |
| 第五节 小结 | 第30-32页 |
| 第三章 RF Plasma MBE的建立及Ⅲ-N材料表征设备 | 第32-48页 |
| 第一节 RF Plasma MBE设备的建立 | 第32-40页 |
| 3．1．1 Ⅲ-N的MBE生长回顾 | 第32-36页 |
| 3．1．2 射频等离子体MBE（RF Plasma MBE）的建立 | 第36-40页 |
| 第二节 Ⅲ-N材料的表征设备 | 第40-47页 |
| 3．2．1 Ⅲ-N材料结构特性表征 | 第40-44页 |
| 3．2．2 Ⅲ-N材料光学特性表征 | 第44-47页 |
| 3．2．2 Ⅲ-N材料的电学表征 | 第47页 |
| 第三节 小结 | 第47-48页 |
| 第四章 GaN材料的RF Plasma MBE生长及表征 | 第48-68页 |
| 第一节 白宝石（Al_2O_3）上外延GaN流程 | 第48-50页 |
| 第二节 GaN的RF Plasma MBE生长工艺优化 | 第50-60页 |
| 4．2．1 衬底表面的Ga束流清洗 | 第50-52页 |
| 4．2．2 白宝石衬底的高温氮化 | 第52-54页 |
| 4．2．3 GaN缓冲层条件优化 | 第54-55页 |
| 4．2．4 GaN外延层条件优化 | 第55-60页 |
| 第三节 GaN/Al_2O_3材料性能表征 | 第60-64页 |
| 4．3．1 GaN/Al_2O_3的结构性能表征 | 第60-62页 |
| 4．3．2 GaN材料的光学特性表征 | 第62-64页 |
| 第四节 GaN自支撑衬底上外延GaN与特性 | 第64-67页 |
| 第五节 小结 | 第67-68页 |
| 第五章 GaN材料的掺杂及特性研究 | 第68-92页 |
| 第一节 引言 | 第68-70页 |
| 第二节 掺Si GaN材料生长及表征 | 第70-76页 |
| 第三节 Si在GaN中的掺杂行为研究 | 第76-83页 |
| 第四节 GaN的高温退火研究 | 第83-86页 |
| 第五节 p型GaN生长及特性 | 第86-91页 |
| 第六节 小结 | 第91-92页 |
| 第六章 AlGaN/GaN异质结构极化效应及调制掺杂 | 第92-120页 |
| 第一节 引言 | 第92-94页 |
| 第二节 自发极化与压电极化诱导AlGaN/GaN 2DEG | 第94-108页 |
| 6．2．1 AlGaN/GaN中的应变弛豫 | 第94-97页 |
| 6．2．2 自发极化和压电极化诱导界面电荷计算方法 | 第97-99页 |
| 6．2．3 自发极化和压电极化的方向 | 第99-102页 |
| 6．2．4 自发极化与压电极化诱导界面电荷计算结果 | 第102-104页 |
| 6．2．5 自发极化与压电极化诱导二维电子气（2DEG）计算结果 | 第104-108页 |
| 第三节 调制掺杂AlGaN/GaN诱导2DEG | 第108-114页 |
| 6．3．1 调制掺杂AlGaN/GaN诱导2DEG计算方法 | 第108-111页 |
| 6．3．2 调制掺杂AlGaN/GaN诱导2DEG计算结果与讨论 | 第111-114页 |
| 第四节 AlGaN/GaN HFET材料生长及结构表征 | 第114-118页 |
| 第五节 小结 | 第118-120页 |
| 第七章 结论 | 第120-124页 |
| 参考文献 | 第124-134页 |
| 发表文章目录 | 第134-135页 |
| 个人简历 | 第135页 |
| 参加的研究课题 | 第135页 |
