| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器的发展历程 | 第10-11页 |
| ·GaAs/AlGaAs 材料的主要特性 | 第11-17页 |
| ·GaAs/AlGaAs 材料的能带结构 | 第11-14页 |
| ·GaAs/AlGaAs 材料的光学特性 | 第14-17页 |
| ·分子束外延技术（MBE） | 第17-21页 |
| ·分子束外延的基本工作原理 | 第17-18页 |
| ·分子束外延的设备结构 | 第18页 |
| ·分子束外延法的特点 | 第18-19页 |
| ·MBE 生长GaAs/AsGaAs 材料的影响因素 | 第19-21页 |
| ·超晶格界面扩散理论概述 | 第21-23页 |
| ·本文研究的目的与主要内容 | 第23-25页 |
| 第2章 样品制备与测试方法 | 第25-33页 |
| ·GaAs/AlGaAs 超晶格薄膜的制备 | 第25-30页 |
| ·MBE 工艺过程简述 | 第25-26页 |
| ·薄膜表面再构观察 | 第26-29页 |
| ·超晶格样品的生长 | 第29-30页 |
| ·超晶格样品的退火热处理 | 第30-31页 |
| ·分析测试方法 | 第31-33页 |
| ·双晶X 射线衍射测试 | 第31页 |
| ·光致发光测试 | 第31-33页 |
| 第3章 测试结果及扩散长度的理论计算 | 第33-49页 |
| ·双晶X 射线衍射结果及其理论计算 | 第33-41页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·双晶X 射线衍射结果 | 第34-37页 |
| ·超晶格结构参数的精确测定 | 第37页 |
| ·界面扩散长度的理论计算 | 第37-41页 |
| ·光致发光测试结果及其理论计算 | 第41-47页 |
| ·引言 | 第41-43页 |
| ·光致发光实验结果 | 第43-46页 |
| ·界面扩散长度的理论计算 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 界面扩散对超晶格红外探测波长的微调 | 第49-59页 |
| ·GaAs/AlGaAs 超晶格束缚态电子能级结构的计算 | 第49-55页 |
| ·Kronig-Penney 模型 | 第49-52页 |
| ·二子能带模型 | 第52页 |
| ·GaAs/AlGaAs 超晶格导带电子能级结构理论计算 | 第52-55页 |
| ·超晶格红外探测波长的微调 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 附录 | 第64-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
