当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
--
一般性问题
射频磁控溅射生长BN薄膜及其接触特性的研究
D/M/D结构的ZnO基透明导电薄膜的制备及特性研究
MOCVD生长ZnO的n、p型掺杂研究
硅掺杂对硫系相变材料锗锑碲薄膜性质影响机制的研究
超声喷雾热裂解制备Cu2ZnSnS4薄膜及其光电化学性质研究
MOVCD外延应力在位测量设计及SiO2/Si3N4DBR的研究
氧化锌薄膜铜镓掺杂及其相关发光器件制备
大气压射频等离子体化学气相沉积TiO2光催化薄膜
石墨及不锈钢衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性研究
镀铜玻璃衬底上GaN薄膜的低温制备及其性能研究
基于ECR-PEMOCVD技术在镀钛玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜特性研究
化学液相沉积Al2O3薄膜钝化p型黑硅的研究
热处理对溶胶—凝胶旋涂法制备ITO薄膜性能的影响
镀银硅片衬底上低温沉积GaN薄膜的特性研究
化学气相沉积制备碳化硅过程的数值模拟
水热法生长ZnO纳米结构研究
表面处理蓝宝石基片对ZnO薄膜性能的影响
喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响
ITO衬底上GaN薄膜的低温沉积及性能研究
AZO薄膜电学性质的导电原子力显微镜研究
高热导石墨衬底上氧化锌薄膜的超声喷雾热解法生长研究
基于双层微量热计的金属薄膜热容及熔点的研究
不同衬底和温度对电子束蒸发法制备的ZnCdO薄膜特性的影响
过渡金属掺杂ZnO、SnO2的微观结构和发光性能研究
稀土离子掺杂ZnO薄膜的制备及特性研究
掺杂对L-MBE法异质外延Ga2O3薄膜光电特性的影响
高密度InAs/GaAs量子点的生长与表征
脉冲激光沉积法制备铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)薄膜的研究
感应加热式MOCVD反应室的仿真与设计
氧化锌衬底上化学气相沉积法制备石墨烯研究
非晶硅薄膜生成和拉伸的分子动力学模拟
CVD制备金属硒化物和CdS共敏化的TiO2纳米棒阵列光电极
基于计算流体力学的金属有机物化学气相沉积均流设计
ZnO以及ZnO:Al薄膜的制备和光学性能研究
金属有机物化学气相沉积在线监测仪的研制
掺铝氧化锌透明导电薄膜的制备与性能研究
阻变存储器用NiO薄膜的制备与性能研究
氧化钒薄膜的制备及其热致变色特性研究
碳还原共蒸发制备In2Ge2O7薄膜及其紫外光敏特性研究
PECVD工艺参数及退火对氮化硅薄膜性能的影响
AM-OLED用ZnO基TFT恒流源器件的研究
ZnO:ZnS薄膜及其异质结紫外光电特性的研究
氧化钛薄膜的制备及其光学、电学的应用研究
L-MBE法制备GaN薄膜的外延生长研究
PLD法制备ZnO基透明导电薄膜及其性能研究
热注入法合成硒化铅胶体量子点研究
CdSeS量子点及其复合薄膜的光学非线性特性
MOCVD生长GaN的输运—反应模型研究
PLD法制备氧化物异质结器件的研究
半导体火工桥用多晶硅薄膜的制备及性能研究
上一页
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
下一页