碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析
| 第一章 绪论 | 第1-10页 |
| 第二章 宽带隙半导体材料SiC | 第10-19页 |
| 2．1 SiC晶体结构 | 第10-11页 |
| 2．2 SiC的性质与应用 | 第11-14页 |
| 2．2．1 SiC的基本性质 | 第11-12页 |
| 2．2．2 SiC的应用 | 第12-14页 |
| 2．3 SiC的发展动态 | 第14-15页 |
| 2．4 SiC薄膜的生长 | 第15-17页 |
| 2．5 SiCOI技术 | 第17-18页 |
| 2．6 小结 | 第18-19页 |
| 第三章 碳化硅薄膜的制备 | 第19-29页 |
| 3．1 蓝宝石衬底 | 第19-21页 |
| 3．2 缓冲层 | 第21-24页 |
| 3．2．1 问题的提出 | 第21页 |
| 3．2．2 缓冲层的作用与要求 | 第21-22页 |
| 3．2．3 缓冲层材料的选择 | 第22-24页 |
| 3．3 外延生长 | 第24-28页 |
| 3．3．1 复合衬底的制备 | 第24-25页 |
| 3．3．2 SiC薄膜的外延生长 | 第25-28页 |
| 3．4 小结 | 第28-29页 |
| 第四章 碳化硅薄膜生长的物理化学过程分析 | 第29-37页 |
| 4．1 SiC薄膜CVD生长的动力学分析 | 第29-30页 |
| 4．1．1 气相分解反应 | 第29-30页 |
| 4．1．2 吸附表面反应 | 第30页 |
| 4．2 SiC薄膜CVD生长的热力学分析 | 第30-32页 |
| 4．3 薄膜厚度的测量与温度参数的分析 | 第32-34页 |
| 4．3．1 干涉法测膜厚的原理 | 第32-33页 |
| 4．3．2 膜厚的测量与分析 | 第33-34页 |
| 4．4 薄膜折射率的测量与源气体流量参数的分析 | 第34-36页 |
| 4．5 小结 | 第36-37页 |
| 第五章 碳化硅薄膜的结构性质分析 | 第37-54页 |
| 5．1 X射线衍射（XRD）分析 | 第37-44页 |
| 5．1．1 XRD分析的基本原理 | 第37-38页 |
| 5．1．2 X射线衍射分析的衍射仪法 | 第38-40页 |
| 5．1．3 样品的XRD分析 | 第40-43页 |
| 5．1．4 薄膜应力的分析 | 第43-44页 |
| 5．2 X射线光电子能谱（XPS）分析 | 第44-47页 |
| 5．2．1 XPS分析原理 | 第44-45页 |
| 5．2．2 样品的XPS分析 | 第45-47页 |
| 5．3 光致发光（PL）光谱分析 | 第47-50页 |
| 5．4 扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第50-53页 |
| 5．4．1 SEM分析原理 | 第50-51页 |
| 5．4．2 样品的SEM分析 | 第51-53页 |
| 5．5 小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第61页 |
