| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 半导体概述 | 第6-18页 |
| ·导论 | 第6-9页 |
| ·半导体材料 | 第9-11页 |
| ·晶体结构 | 第11-13页 |
| ·缺陷 | 第13-18页 |
| 第二章 物理气相淀积 | 第18-27页 |
| ·薄膜沉积的原理 | 第18-24页 |
| ·薄膜沉积现象 | 第18-19页 |
| ·长晶 | 第19-22页 |
| ·晶粒成长 | 第22页 |
| ·聚结 | 第22-23页 |
| ·缝道填补与沉积膜成长 | 第23页 |
| ·杂质的影响 | 第23-24页 |
| ·物理气相沉积 | 第24-27页 |
| ·溅镀的原理 | 第25-27页 |
| 第三章 化学气相淀积 | 第27-29页 |
| ·化学气相沉积的原理 | 第27-29页 |
| 第四章 使用物理气相淀积代替化学气相淀积来生长粘合层 | 第29-37页 |
| ·CVD法沉积的导体材料——TIN | 第29-30页 |
| ·PVD法沉积的导体材料——TIN | 第30-32页 |
| ·氮化反应法 | 第31页 |
| ·反应性溅镀法 | 第31-32页 |
| ·PVD法沉积代替化学法来生长氮化钛阻挡层 | 第32-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 致谢 | 第38页 |