| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 引言 | 第11-30页 |
| ·射频等离子体特点 | 第11页 |
| ·射频等离子体 | 第11-13页 |
| ·射频耦合方式 | 第11页 |
| ·射频容性耦合 | 第11页 |
| ·射频感性耦合 | 第11-13页 |
| ·射频感应耦合等离子体的天线 | 第12-13页 |
| ·溅射沉积技术应用与发展 | 第13-19页 |
| ·溅射现象 | 第13-14页 |
| ·典型溅射沉积方法 | 第14-19页 |
| ·溅射沉积的应用 | 第19页 |
| ·原子发射光谱介绍 | 第19-23页 |
| ·原子发射光谱发展 | 第19-20页 |
| ·发射光谱概述 | 第20-22页 |
| ·发射光谱的光谱分析 | 第22-23页 |
| ·等离子体Langmuir探针 | 第23-27页 |
| ·Langmuir探针简单介绍 | 第23-25页 |
| ·由Langmuir探针得到的I-V特性曲线 | 第25-27页 |
| ·铜膜的研究概况 | 第27-29页 |
| ·本工作的目的意义和研究内容 | 第29-30页 |
| 2 由会切场约束的ICP增强非平衡磁控溅射放电等离子体的产生原理与装置 | 第30-36页 |
| ·设计思想 | 第30页 |
| ·设备几个关键部位的设计 | 第30-32页 |
| ·外磁场的选择 | 第31页 |
| ·放电室尺寸选择 | 第31-32页 |
| ·射频线圈选择 | 第32页 |
| ·关于放电参数的选择 | 第32-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 3 ICP增强会切场约束非平衡磁控溅射等离子体的发射光谱特性 | 第36-50页 |
| ·用发射光谱法研究等离子体概况 | 第36页 |
| ·系统简介 | 第36-38页 |
| ·射频等离子体的发射光谱研究 | 第38-44页 |
| ·工作气压对等离子体参数的影响 | 第39-40页 |
| ·射频功率对等离子体参数的影响 | 第40-42页 |
| ·不同位置对等离子体参数的影响 | 第42-44页 |
| ·射频增强会切场约束非平衡磁控溅射等离子体的发射光谱测量 | 第44-49页 |
| ·工作气压对等离子体参数的影响 | 第44-46页 |
| ·射频功率对等离子体参数的影响 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 4 用Langmuir探针测量等离子体参数 | 第50-80页 |
| ·Langmuir探针的诊断系统 | 第50-55页 |
| ·Langmuir探针对射频等离子体参数的测量结果 | 第55-68页 |
| ·不同位置对等离子体参数的影响 | 第55-59页 |
| ·会切场对等离子体参数的影响 | 第59-68页 |
| ·Langmuir探针测量射频增强会切场约束非平衡磁控溅射等离子体参数 | 第68-78页 |
| ·工作气压对等离子体参数的影响 | 第68-69页 |
| ·射频功率对等离子体参数的影响 | 第69-73页 |
| ·等离子体参数沿基片表面的径向分布 | 第73-75页 |
| ·会切场对等离子体参数的影响 | 第75-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 5 铜膜的制备与表征 | 第80-92页 |
| ·引言 | 第80-81页 |
| ·射频等离子体增强会切场约束非平衡磁控溅射沉积铜膜的实验过程 | 第81-82页 |
| ·铜膜的表征和分析 | 第82-90页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第83-87页 |
| ·XRD分析 | 第87-89页 |
| ·薄膜电阻率分析 | 第89页 |
| ·扫描电子能谱分析 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 6 结论 | 第92-94页 |
| ·本文主要结论 | 第92-93页 |
| ·下一步工作与展望 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-102页 |
| 创新点摘要 | 第102-103页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
