| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 符号说明 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| ·研究的背景和意义 | 第14-21页 |
| ·MOCVD反应器质量输运过程研究的背景和意义 | 第15-18页 |
| ·晶片键合研究的背景和意义 | 第18-21页 |
| ·论文的结构安排 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 MOCVD设备工艺流程与外延材料性能测试 | 第26-55页 |
| ·MOCVD外延生长技术概述 | 第26-28页 |
| ·MOCVD反应器中的材料外延机制 | 第28-34页 |
| ·MOCVD反应器内材料生长过程 | 第28-30页 |
| ·MOCVD化学反应动力学 | 第30-32页 |
| ·衬底材料生长的表面反应 | 第32-33页 |
| ·质量输运控制下的材料生长速率 | 第33-34页 |
| ·TSSEL 3X2"CCS InP型MOCVD系统 | 第34-46页 |
| ·MO源输送系统(Gas Delivery System) | 第35-39页 |
| ·MOCVD反应器与加热系统 | 第39-43页 |
| ·反应器低压控制系统 | 第43-44页 |
| ·MOCVD反应器尾气处理系统 | 第44-45页 |
| ·MOCVD设备的安全与控制单元 | 第45-46页 |
| ·异质外延晶体质量的表征技术 | 第46-52页 |
| ·X射线衍射技术 | 第46-48页 |
| ·透射电子显微镜术(TEM) | 第48-49页 |
| ·光致发光技术(PL) | 第49-51页 |
| ·扫描电子显微镜技术(SEM) | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第三章 MOCVD反应器热流场的稳态与瞬态数值研究 | 第55-85页 |
| ·引言 | 第55-57页 |
| ·MOCVD反应器的数学物理模型及计算条件 | 第57-63页 |
| ·垂直式反应器的优点 | 第57-58页 |
| ·数学物理模型 | 第58-61页 |
| ·数值计算方法与计算条件 | 第61-63页 |
| ·MOCVD反应器稳态热流场的计算与分析 | 第63-75页 |
| ·进气流量对反应器热流场分布的影响 | 第63-64页 |
| ·操作压力对热流场分布的影响 | 第64-66页 |
| ·基座温度对热流场分布的影响 | 第66-67页 |
| ·侧壁温度对热流场分布的影响 | 第67-69页 |
| ·重力效应对反应器热流场分布的影响 | 第69页 |
| ·基座旋转对反应器热流场分布的影响 | 第69-71页 |
| ·反应器高度对热流场分布的影响 | 第71-73页 |
| ·MOCVD反应器稳态热流场的工艺优化计算 | 第73-75页 |
| ·MOCVD反应器中瞬态热流场的计算与分析 | 第75-79页 |
| ·本章结论 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 第四章 晶片键合技术综述 | 第85-106页 |
| ·引言 | 第85-87页 |
| ·晶片键合技术的基本原理与工艺过程 | 第87-92页 |
| ·晶片的表面处理 | 第87-91页 |
| ·晶片预键合 | 第91页 |
| ·晶片对热处理 | 第91-92页 |
| ·晶片键合技术的主要实现方法 | 第92-96页 |
| ·晶片直接键合技术 | 第92-94页 |
| ·阳极键合技术 | 第94-95页 |
| ·中间层键合技术 | 第95-96页 |
| ·晶片键合技术的主要应用 | 第96-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-106页 |
| 第五章 InP/Si晶片键合实验与键合机理的研究 | 第106-138页 |
| ·InP/Si材料晶片键合实验步骤 | 第106-107页 |
| ·键合晶片性能测试 | 第107-116页 |
| ·界面形貌 | 第107-109页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性测试 | 第109-111页 |
| ·X射线衍射(XRD)谱测试 | 第111-112页 |
| ·光致发光(PL)谱测试 | 第112-113页 |
| ·二次离子质谱(SIMS) | 第113-114页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第114-115页 |
| ·拉曼光谱(Raman spectroscopy) | 第115-116页 |
| ·硼化物辅助低温InP/Si晶片键合机理的研究 | 第116-127页 |
| ·InP、Si晶片表面清洗的原理 | 第117-119页 |
| ·Si晶片表面清洗处理 | 第117-119页 |
| ·InP晶片表面清洗处理 | 第119页 |
| ·InP、Si晶片预键合与退火 | 第119页 |
| ·低温InP/Si键合机理分析与讨论 | 第119-127页 |
| ·硼化物NaBH_4/H_3BO_3/H_2O处理液中 | 第120页 |
| ·InP晶片与溶液界面 | 第120-122页 |
| ·SiO_2/Si衬底与溶液界面 | 第122-123页 |
| ·两晶片的中间层 | 第123-127页 |
| ·InP/Si晶片大面积键合的研究 | 第127-130页 |
| ·键合手套箱的设计方案 | 第130-133页 |
| ·本章小结 | 第133-135页 |
| 参考文献 | 第135-138页 |
| 第六章 总结 | 第138-139页 |
| 致谢 | 第139-141页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第141页 |
