| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-6页 |
| 第一章 TFT-LCD工作原理与问题点 | 第6-35页 |
| 第一节 TFT-LCD工作原理 | 第6-32页 |
| 第二节 技术上的问题点 | 第32-34页 |
| 第三节 解决该问题的意义 | 第34-35页 |
| 第二章 相关问题说明 | 第35-46页 |
| 第一节 等离子体原理 | 第35-41页 |
| 第二节 检查设备原理 | 第41-46页 |
| 第三章 通过PECVD改善刻蚀角度 | 第46-52页 |
| 第一节 PECVD原理 | 第46-49页 |
| 第二节 PECVD设备原理说明 | 第49页 |
| 第三节 上层氮化硅硅烷流量对刻蚀角度的影响 | 第49-50页 |
| 第四节 上层氮化硅两步成膜对刻蚀角度的影响 | 第50-52页 |
| 第四章 通过干法刻蚀改善刻蚀角度 | 第52-60页 |
| 第一节 干法刻蚀原理 | 第52-56页 |
| 第二节 干法刻蚀设备说明 | 第56-57页 |
| 第三节 改变压强对刻蚀角度的影响 | 第57-60页 |
| 第五章 结论 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |