| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| CONTENTS | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| ·引言 | 第12-17页 |
| ·介电薄膜的研究背景 | 第17-19页 |
| ·SiO_2栅介质减薄带来的问题 | 第17-18页 |
| ·高K材料能够解决SiO_2栅介质减薄带来的问题 | 第18-19页 |
| ·高介电薄膜的种类 | 第19-20页 |
| ·Ta_2O_5高介电薄膜 | 第20-24页 |
| ·Ta_2O_5的晶体结构 | 第20-21页 |
| ·Ta_2O_5介电薄膜的研究现状 | 第21-24页 |
| ·Ta_2O_5薄膜研究应关注的主要问题 | 第24-25页 |
| ·本论文的研究内容 | 第25-28页 |
| 第二章 磁控溅射法制备薄膜的原理和薄膜的表征技术 | 第28-50页 |
| ·磁控溅射法制备薄膜的基本原理 | 第28-30页 |
| ·磁控溅射法的基本原理 | 第28-29页 |
| ·溅射镀膜的特点和主要参数 | 第29-30页 |
| ·氧化钽薄膜的表征技术 | 第30-50页 |
| ·X射线衍射技术 | 第30-31页 |
| ·X射线光电子能谱技术(XPS) | 第31-34页 |
| ·紫外—可见光光谱(Ultraviolet-Visible) | 第34-36页 |
| ·椭圆偏振测量(椭偏术) | 第36-44页 |
| ·电介质的极化机理分析 | 第44-48页 |
| ·实验设备和检测仪器 | 第48-50页 |
| 第三章 氧化钽薄膜的制备 | 第50-56页 |
| ·衬底的清洗 | 第50页 |
| ·氧化钽薄膜的制备 | 第50-53页 |
| ·氧化钽薄膜的退火 | 第53-54页 |
| ·氧化钽薄膜的生长速率与工艺条件的关系 | 第54-56页 |
| 第四章 氧化钽薄膜的结构和成分分析 | 第56-70页 |
| ·氧化钽薄膜结构的分析 | 第56-60页 |
| ·XRD测试的条件 | 第56页 |
| ·氧化钽薄膜的结构分析 | 第56-60页 |
| ·氧化钽薄膜的成分分析 | 第60-70页 |
| ·XPS谱的测试条件 | 第60页 |
| ·薄膜化学成分的定性分析 | 第60-62页 |
| ·薄膜化学成分的定量分析 | 第62-70页 |
| 第五章 氧化钽薄膜的光学性能研究 | 第70-76页 |
| ·氧化钽薄膜的透射率和禁带宽度 | 第70-72页 |
| ·氧化钽薄膜的折射率和消光系数 | 第72-76页 |
| 第六章 氧化钽薄膜的电学性能研究 | 第76-86页 |
| ·薄膜的介电性能测试和分析 | 第76-81页 |
| ·薄膜的介电性能测试 | 第76-77页 |
| ·薄膜的介电性能分析 | 第77-81页 |
| ·氧化钽薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性测试与分析 | 第81-86页 |
| 全文总结、存在的问题与展望 | 第86-88页 |
| 本文的特色和创新之处 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-96页 |
| 攻读硕士学位期间发表的主要论文 | 第96页 |
| 攻读硕士学位期间参加的主要课题 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98页 |