| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-13页 |
| ·半导体技术的发展历程 | 第6-7页 |
| ·半导体制造技术要点 | 第7-11页 |
| ·未来半导体制造技术的发展方向 | 第11-13页 |
| 第二章 WCVD 在集成电路中的应用 | 第13-16页 |
| ·钨在半导体中的应用 | 第13页 |
| ·化学气相沉积钨工艺过程 | 第13-16页 |
| 第三章 WCVD 工艺 | 第16-24页 |
| ·应用材料厂商WCVD 制程发展历史 | 第16-17页 |
| ·化学气相淀积（CVD） | 第17-19页 |
| ·CVD 化学过程 | 第17页 |
| ·CVD 反应 | 第17-19页 |
| ·WCVD 工艺主要步骤 | 第19-22页 |
| ·评估工艺好坏的主要参数 | 第22-24页 |
| 第四章 WCVD 阶梯覆盖率的研究 | 第24-43页 |
| ·阶梯覆盖率的定义 | 第24页 |
| ·影响WCVD 阶梯覆盖率的主要参数 | 第24-43页 |
| ·设计结构 | 第25-26页 |
| ·衬底 | 第26-30页 |
| ·WCVD 工艺的改进 | 第30-43页 |
| 第五章 结论 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48页 |