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一般性问题
MOCVD反应室多场耦合分析与参数优化
Si基改性Ge薄膜RPCVD外延生长研究
碳化硅基石墨烯/锗异质结制备与特性研究
氮化镓薄膜制备过程多物理场研究及优化
蓝宝石衬底上氮极性GaN薄膜的MOCVD生长及其发光器件特性研究
低温蒸发源的研发
分子束外延InGaN合金及其光电导行为研究
基于有限元的MOCVD基座不稳定温度场的研究
InN/InGaN纳米结构的CVD生长研究
GaN材料的MOCVD生长及特性研究
MOCVD反应室感应加热装置的研究
卧式HVPE生长GaN的计算机模拟
立式HVPE生长GaN的计算机模拟
BaTiO3/ZnO外延异质结的生长和电学性质
PECVD系统淀积氮化硅工艺优化的实现
化学气相沉积法生长石墨烯的CFD模拟研究
含硅量子点碳化硅薄膜的退火特性研究
化学气相沉积硼磷掺杂层缺陷减少的研究
MOCVD在线光致发光与红外测温研究
基于CVD工艺的3C/4H-SiC异质外延：缺陷表征及演化
基于CFD的MOCVD反应室数值模拟
碳化硅外延石墨烯的工艺探究及表征
硅化钛薄膜的APCVD工艺研究
低温AlN层的MOCVD生长工艺及应用研究
Si基GaNHEMT结构MOCVD生长研究
掺Cr和模压处理铜基镶嵌结构界面金刚石膜研究
硅基GaN的可控制备及其发光性能
4H-SiC低压同质外延生长和器件验证
3C-SiC薄膜剥离技术及其表面钝化研究
基于二聚体理论与扩散理论的Si1-xGex材料生长动力学模型
碳化硅、氮化镓和扎镓石榴石衬底β-Ga2O3外延薄膜的制备及性质研究
200mm重掺杂衬底硅片APCVD前颗粒研究
碲系化合物半导体靶材制备及镀膜性能表征
石墨烯化学气相淀积生长、表征及机理研究
Si基图形化衬底Ge外延生长及Si基Ge波导型探测器研究
基于大数据的硅片形状诊断与预报
碳化硅外延石墨烯方法生长设备研制与工艺探索
结合动态蒙特卡洛法与分子动力学研究c面蓝宝石衬底的氮化现象
磁控溅射制备AlInN及其性质研究
YSZ衬底上铝铟氧化物薄膜的制备及性质研究
4H-SiC厚外延的生长研究
非极性GaN外延薄膜的低位错生长方法研究
4H-SiC外延生长的缺陷控制方法研究
MOCVD法制备ZnO的成核与生长研究
金属有机物化学气相沉积设备加热系统研究与设计
基于流—热—固多场耦合分析的PECVD装置优化设计
化学气相沉积法制备二硫化钼薄膜及电学性能表征
MOCVD生长Sb掺杂ZnO薄膜的基本特性及ZnO同质结发光器件研究
光罩管理系统的优化来降低Haze的影响
四极质谱在CVDCLEAN中的应用
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