| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-21页 |
| ·课题背景 | 第8-9页 |
| ·InAs_xSb_(1-x)长波长红外探测器的发展现状及分析 | 第9-11页 |
| ·InAs_xSb_(1-x)材料的性质 | 第11-18页 |
| ·InAs_xSb_(1-x)材料的带隙与成分和温度的关系 | 第11-13页 |
| ·InAs_xSb_(1-x)材料的本征载流子浓度 | 第13页 |
| ·InAs_xSb_(1-x)材料的输运特性 | 第13-15页 |
| ·InAs_xSb_(1-x)材料的光学性质 | 第15-18页 |
| ·室温下InAs_xSb_(1-x)的物理性质 | 第18页 |
| ·InAs_xSb_(1-x)外延薄膜的生长 | 第18-20页 |
| ·本文研究的目的、意义及主要内容 | 第20-21页 |
| 第2章 材料及试验方法 | 第21-27页 |
| ·InAs_xSb_(1-x)材料的选择 | 第21-23页 |
| ·衬底材料的选择 | 第23页 |
| ·晶格失配问题的解决 | 第23页 |
| ·薄膜生长设备 | 第23-25页 |
| ·薄膜结构、性能测试方法 | 第25-27页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第25-26页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第26页 |
| ·双晶X射线衍射（DCXRD） | 第26页 |
| ·X射线光电子能谱（XPS） | 第26页 |
| ·红外吸收光谱 | 第26页 |
| ·霍尔测试 | 第26-27页 |
| 第3章 薄膜结构设计及生长工艺 | 第27-36页 |
| ·能带结构计算及薄膜结构设计 | 第27-29页 |
| ·能带结构计算 | 第27-28页 |
| ·薄膜结构设计 | 第28-29页 |
| ·薄膜生长工艺 | 第29-34页 |
| ·薄膜制备工艺流程设计 | 第29-30页 |
| ·GaAs缓冲层生长工艺研究 | 第30-33页 |
| ·薄膜生长工艺参数的选择 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 薄膜微观组织结构 | 第36-53页 |
| ·InSb/InAsSb超晶格薄膜的表面形貌分析 | 第36-39页 |
| ·InSb/InAsSb超晶格薄膜的断面形貌分析 | 第39-41页 |
| ·InSb/InAsSb超晶格薄膜的双晶X射线衍射分析 | 第41-44页 |
| ·InSb/InAsSb超晶格薄膜的成分分布与元素扩散分析 | 第44-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 薄膜的光电性能 | 第53-59页 |
| ·InSb/InAsSb超晶格薄膜的红外吸收性能分析 | 第53-56页 |
| ·InSb/InAsSb超晶格薄膜的霍尔测试结果与分析 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
