| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·HEMT工作原理及发展历程 | 第10-12页 |
| ·GaAs/Al_xGa_(_(1-x))As HEMT材料国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·分子束外延(MBE)技术 | 第13-16页 |
| ·分子束外延原理 | 第14页 |
| ·分子束外延的主要特点 | 第14-15页 |
| ·分子束外延装置 | 第15-16页 |
| ·MBE 生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As材料的影响因素 | 第16-18页 |
| ·衬底温度的影响 | 第16-17页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ束流比的影响 | 第17页 |
| ·生长速率的影响 | 第17-18页 |
| ·衬底偏向角的影响 | 第18页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第18-20页 |
| 第2章 材料与试验方法 | 第20-28页 |
| ·制备工艺介绍 | 第20-22页 |
| ·实验设备介绍 | 第20-21页 |
| ·衬底的选择 | 第21-22页 |
| ·MBE生长过程 | 第22页 |
| ·样品及其生长工艺参数 | 第22-25页 |
| ·生长工艺研究用样品及生长条件 | 第23-24页 |
| ·HEMT材料及其生长条件 | 第24-25页 |
| ·分析测试方法 | 第25-28页 |
| ·晶体结构特性分析 | 第25页 |
| ·掺杂特性分析 | 第25-26页 |
| ·表面形貌分析 | 第26页 |
| ·电学性能分析 | 第26-28页 |
| 第3章 HEMT材料的结构设计与计算 | 第28-42页 |
| ·2DEG的求解 | 第28-32页 |
| ·三角形势阱近似 | 第28-30页 |
| ·自洽法 | 第30-32页 |
| ·模型与算法 | 第32-35页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第35-40页 |
| ·掺杂浓度的确定 | 第36-37页 |
| ·Al组分含量x的确定 | 第37-38页 |
| ·空间隔离层厚度的确定 | 第38-40页 |
| ·HEMT结构设计 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 生长条件的研究与控制 | 第42-54页 |
| ·束流与温度关系研究 | 第42-44页 |
| ·掺杂浓度的控制 | 第44-46页 |
| ·Al含量x的控制 | 第46-49页 |
| ·空间层厚度的控制 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第5章 HEMT材料的结构与电学性能 | 第54-64页 |
| ·HEMT材料的生长及测试结果 | 第54-55页 |
| ·衬底温度对材料性能的影响 | 第55-60页 |
| ·衬底温度对异质结薄膜表面形貌的影响 | 第55-58页 |
| ·衬底温度对HEMT表面形貌的影响 | 第58-60页 |
| ·衬底温度对HEMT材料电学性能的影响 | 第60页 |
| ·工作温度对HEMT材料电学性能的影响 | 第60-61页 |
| ·空间层厚度对HEMT材料电学性能的影响 | 第61页 |
| ·热处理对HEMT材料的电学性能的影响 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70页 |