| 摘要 | 第1-13页 |
| ABSTRACT | 第13-17页 |
| 主要符号表 | 第17-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-31页 |
| ·概述 | 第20-23页 |
| ·MgO薄膜的性质及应用 | 第23页 |
| ·MgO薄膜的制备方法 | 第23-25页 |
| ·超临界二氧化碳 | 第25页 |
| ·课题的选取及研究方法 | 第25-27页 |
| 本章参考文献 | 第27-31页 |
| 第二章 实验设备和测试分析方法 | 第31-45页 |
| ·金属有机化学气相沉积法 | 第31-36页 |
| ·MOCVD法的基本原理 | 第31页 |
| ·MOCVD法的特点 | 第31-32页 |
| ·MOCVD系统 | 第32-34页 |
| ·本实验的MOCVD系统 | 第34-35页 |
| ·本论文中材料生长所用的源 | 第35-36页 |
| ·磁控溅射法 | 第36-38页 |
| ·溅射原理 | 第36页 |
| ·溅射镀膜的特点 | 第36-37页 |
| ·本实验的磁控溅射系统 | 第37-38页 |
| ·测试分析方法 | 第38-44页 |
| ·结构和成分测试分析 | 第38-39页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第39-40页 |
| ·椭圆偏振光谱仪(SE) | 第40-44页 |
| 本章参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 MOCVD法制备MgO薄膜的研究 | 第45-59页 |
| ·概述 | 第45页 |
| ·薄膜的制备 | 第45-47页 |
| ·实验准备 | 第45-46页 |
| ·薄膜制备过程 | 第46-47页 |
| ·MgO薄膜的性质分析 | 第47-58页 |
| ·MgO薄膜的XPS分析 | 第47-54页 |
| ·MgO薄膜的透过谱分析 | 第54-55页 |
| ·MgO薄膜的SEM分析 | 第55-56页 |
| ·MgO薄膜的膜厚分析 | 第56-58页 |
| 本章参考文献 | 第58-59页 |
| 第四章 磁控溅射法制备MgO薄膜的研究 | 第59-64页 |
| ·MgO薄膜的制备 | 第59-60页 |
| ·实验准备 | 第59-60页 |
| ·制备薄膜过程 | 第60页 |
| ·MgO薄膜性质分析 | 第60-63页 |
| ·MgO薄膜的XPS分析 | 第61-62页 |
| ·MgO薄膜的XRD分析 | 第62-63页 |
| 本章参考文献 | 第63-64页 |
| 第五章 高K介质材料MgO薄膜电学性质的研究 | 第64-81页 |
| ·概述 | 第64页 |
| ·MOS电容器的电学测量 | 第64-72页 |
| ·界面陷阱与氧化层电荷 | 第65-67页 |
| ·C-V曲线与氧化层介电常数K的计算 | 第67-69页 |
| ·修正电容C_c与界面陷阱电荷密度(D_(it))的计算 | 第69-72页 |
| ·实验步骤 | 第72-73页 |
| ·MgO薄膜的C-V特性 | 第73-80页 |
| ·修正电容C_c的测量与相关值计算 | 第73-75页 |
| ·退火和scCO_2处理对MgO薄膜电学特性的影响 | 第75-76页 |
| ·MgO薄膜的界面陷阱电荷密度(D_(it)) | 第76-78页 |
| ·MgO薄膜的漏电流密度(J) | 第78-80页 |
| 本章参考文献 | 第80-81页 |
| 第六章 结论 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第84页 |