当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
--
一般性问题
VLSI用栅介质Ta2O5薄膜制备与特性研究
6H-SiC上3C-SiC缓冲层及SiCGe薄膜的生长
基于多孔硅衬底的碳化硅APCVD生长研究
基于ANSYS的MOCVD反应室有限元分析
MOCVD设备反应室的设计与分析
非晶硅薄膜光学性质的研究及铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜
铝诱导晶化制备多晶硅薄膜的研究
Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜结构和磁性研究
射频磁控溅射制备ZnO基稀磁半导体薄膜工艺研究
表面金属化—共沉积法制备金刚石/铜基封装材料的研究
利用金属氧化法在不同衬底上制备氧化钒薄膜的研究
磁控溅射法制备WO3基薄膜及相关物理性能的研究
晶体生长超低速控制技术的研究
p型铜铁矿结构透明氧化物半导体的制备与性能研究
GaSb电池制备和Zn在N-GaSb晶片中扩散机理的研究
三温区空间晶体生长炉温度系统机理建模与控制
衬底处理对MOCVD外延生长GaN薄膜性能的影响
氢化物气相外延生长GaN的数值模拟
基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究
硅基微结构上的GaN外延生长研究
InGaAs表面粗糙化的研究
太阳能电池多晶硅薄膜铝诱导晶化（AIC）机制及工艺控制研究
Cu/Si（100）体系的扩散和界面反应
TiO2半导体薄膜的制备与气敏传感性质研究
磁控溅射法制备ZnO薄膜及特性研究
InAlN材料的生长及其表面纳米岛的研究
MBE生长GaAs/GaN薄膜结构与光学特性研究
化学气相传输法制备ZnO薄膜的探索性研究
DBD-PECVD法制备CN薄膜的研究
蓝宝石和石英衬底上（Ga，Mn）N薄膜的生长和特性研究
稳定可靠p型ZnO薄膜的制备与光电性能研究
ZnO薄膜的MOCVD制备及ZnO/Si发光器件研究
锑化物半导体材料的MOCVD生长研究及其热光伏器件的模拟分析
硅/HF界面电化学特性研究
Si1-xGex/Si应变材料生长机理与生长动力学研究
高Al组分的AlGaN外延材料的MOCVD生长研究
GaN-MOCVD系统反应室的CFD模拟研究
氟化钙单晶材料的磁流变抛光工艺研究
p型Cu1-xNixO透明氧化物半导体薄膜的制备及性能分析
65nm高性能工艺流程之低温选择性锗硅外延技术的研究
真空高阻区熔硅单晶生长技术的研究
HVPE法制备GaN同质衬底
波样耗散结构的空间构造及形成过程
磁控溅射法制备氮掺杂ZnO薄膜及其光学特性研究
300mm半导体工厂AMHS系统的分析、设计和控制策略的仿真研究
Gd2O3高K栅介质薄膜的生长及表征
Zn在N-GaSb晶片中扩散机理与GaSb热光伏电池制备工艺的研究
热处理对MOCVD外延生长GaN薄膜性能的影响
高质量AlN材料分子束外延生长机理及相关材料物性研究
应变岛双稳态及拓扑绝缘体薄膜分子束外延生长研究
上一页
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
下一页
