基于多孔硅衬底的碳化硅APCVD生长研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·碳化硅的发展历史及应用现状与前景 | 第9-12页 |
| ·发展历史 | 第9-10页 |
| ·应用现状及前景 | 第10-12页 |
| ·本论文的主要工作 | 第12-15页 |
| 第二章 碳化硅材料特性 | 第15-21页 |
| ·碳化硅晶体结构 | 第15-17页 |
| ·SiC 材料物理及化学特性 | 第17-19页 |
| ·SiC 的物理特性 | 第17页 |
| ·SiC 的电学特性与应用 | 第17-19页 |
| 本章小节 | 第19-21页 |
| 第三章 SiC 材料的制备方法 | 第21-29页 |
| ·SiC 单晶材料的制备 | 第21页 |
| ·SiC 薄膜材料的外延生长方法 | 第21-24页 |
| ·液相外延生长 | 第22页 |
| ·分子束外延生长 | 第22页 |
| ·溅射沉积生长 | 第22-23页 |
| ·化学气相沉积 | 第23-24页 |
| ·SiCOI 技术 | 第24-28页 |
| ·注氧隔离 | 第24-25页 |
| ·晶片键合 | 第25-26页 |
| ·智能切割 | 第26-27页 |
| ·SiCOI 外延技术 | 第27-28页 |
| 本章小节 | 第28-29页 |
| 第四章 多孔硅衬底材料的制备 | 第29-35页 |
| ·多孔硅简介 | 第29-30页 |
| ·多孔硅的形成机制 | 第30-31页 |
| ·物理机制 | 第30页 |
| ·量子线效应形成机制 | 第30-31页 |
| ·电化学制备机制 | 第31页 |
| ·多孔硅的分类 | 第31-32页 |
| ·双槽电化学法制备多孔硅 | 第32-34页 |
| 本章小节 | 第34-35页 |
| 第五章 多孔硅衬底上的碳化硅APCVD 生长 | 第35-45页 |
| ·SiC 薄膜CVD 生长的气体动力学分析 | 第35-39页 |
| ·SiC 薄膜CVD 生长的热力学分析 | 第39-40页 |
| ·APCVD 外延生长实验 | 第40-43页 |
| ·APCVD 生长系统 | 第40页 |
| ·衬底清洗 | 第40-41页 |
| ·实验方案 | 第41-43页 |
| 本章小节 | 第43-45页 |
| 第六章 实验结果及分析 | 第45-57页 |
| ·SiC 薄膜的表征方法 | 第45-49页 |
| ·傅立叶红外光谱(FTIR) | 第45-46页 |
| ·拉曼光谱(Reman Scattering) | 第46页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第46-47页 |
| ·X 射线衍射谱(XRD) | 第47-48页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第48-49页 |
| ·样品分析与结论 | 第49-54页 |
| ·样品的X 射线衍射分析 | 第49-52页 |
| ·样品薄膜的表面形貌分析 | 第52-54页 |
| ·APCVD 法生长3C-SiC 薄膜的可能机制 | 第54-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 硕士期间参加课题研究及论文发表情况 | 第67-68页 |
