p型Cu1-xNixO透明氧化物半导体薄膜的制备及性能分析
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-32页 |
| ·前言 | 第8-9页 |
| ·p型TOS薄膜材料研究现状 | 第9-20页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·铜铁矿结构材料 | 第9-15页 |
| ·SrCu_2O_2材料 | 第15-17页 |
| ·掺杂ZnO | 第17-18页 |
| ·氧硫族化合物 | 第18-20页 |
| ·p型TOS薄膜的应用 | 第20-27页 |
| ·透明薄膜二极管 | 第20-23页 |
| ·薄膜场效应晶体管 | 第23-25页 |
| ·紫外发光二极管 | 第25页 |
| ·蓝光LED | 第25页 |
| ·透明紫外传感器 | 第25-27页 |
| ·p型TOS薄膜真空制备技术 | 第27-29页 |
| ·直流溅射技术 | 第27-28页 |
| ·射频溅射技术 | 第28页 |
| ·离子束溅射技术 | 第28页 |
| ·真空反应蒸发法 | 第28页 |
| ·爆破式蒸发 | 第28-29页 |
| ·脉冲激光沉积技术 | 第29页 |
| ·分子束外延 | 第29页 |
| ·本课题的研究内容 | 第29-32页 |
| ·研究内容 | 第29-30页 |
| ·材料选择 | 第30-31页 |
| ·课题研究意义 | 第31-32页 |
| 第二章 实验设备及表征方法 | 第32-44页 |
| ·靶材制备设备 | 第32-33页 |
| ·研磨设备 | 第32页 |
| ·成形设备 | 第32-33页 |
| ·烧结设备 | 第33页 |
| ·薄膜制备方法——脉冲等离子体沉积法 | 第33-36页 |
| ·PPD设计原理 | 第33-35页 |
| ·PPD技术特点 | 第35-36页 |
| ·表征方法及原理 | 第36-44页 |
| ·薄膜厚度测试 | 第36-37页 |
| ·靶材及薄膜电学测试 | 第37-38页 |
| ·薄膜光学测试 | 第38-39页 |
| ·靶材及薄膜的结构和形貌表征 | 第39-44页 |
| 第三章 靶材制备及表征 | 第44-48页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·靶材制备 | 第44-45页 |
| ·靶材性能表征 | 第45-46页 |
| ·结构性能研究 | 第45页 |
| ·电学性能研究 | 第45-46页 |
| ·成分优化 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 p型掺镍氧化铜薄膜的研究 | 第48-61页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·p型掺镍氧化铜薄膜的制备及表征 | 第48-58页 |
| ·实验 | 第48-49页 |
| ·电学性能研究 | 第49-54页 |
| ·光学性能研究 | 第54-56页 |
| ·结构性能研究 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-61页 |
| 第五章 p型掺铜氧化镍薄膜的研究 | 第61-67页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·p型掺铜氧化镍薄膜的制备及表征 | 第61-66页 |
| ·实验 | 第61-62页 |
| ·电学性能研究 | 第62-64页 |
| ·光学性能研究 | 第64-65页 |
| ·结构性能研究 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 全文结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 附录 攻读硕士期间发表的文章 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
