| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| §1-1 引言 | 第9-10页 |
| §1-2 GaN 材料的基本性质 | 第10-13页 |
| 1-2-1 GaN 晶体的结构性质 | 第10-12页 |
| 1-2-2 GaN 材料的化学性质 | 第12页 |
| 1-2-3 GaN 材料的电学性质 | 第12页 |
| 1-2-4 GaN 材料的光学性质 | 第12-13页 |
| §1-3 GaN 材料的制备技术 | 第13-15页 |
| 1-3-1 卤化物汽相外延(HVPE)技术 | 第14页 |
| 1-3-2 分子束外延技术(MBE) | 第14页 |
| 1-3-3 原子束外延技术(ALE) | 第14-15页 |
| 1-3-4 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术 | 第15页 |
| §1-4 制备GaN 材料的衬底 | 第15-18页 |
| 1-4-1 蓝宝石衬底 | 第16页 |
| 1-4-2 SiC 衬底 | 第16-17页 |
| 1-4-3 Si 衬底 | 第17页 |
| 1-4-4 GaN 衬底 | 第17页 |
| 1-4-5 GaAs 衬底 | 第17页 |
| 1-4-6 AlN 衬底 | 第17页 |
| 1-4-7 其它衬底 | 第17-18页 |
| §1-5 GaN 基材料及器件的研究现状和应用前景 | 第18-20页 |
| 1-5-1 研究现状 | 第18-19页 |
| 1-5-2 应用前景 | 第19-20页 |
| §1-6 本文主要研究工作 | 第20-21页 |
| 第二章 实验过程及分析技术 | 第21-28页 |
| §2-1 实验样品制备 | 第21-22页 |
| 2-1-1 样品预处理 | 第21页 |
| 2-1-2 实验方案 | 第21-22页 |
| §2-2 主要实验设备 | 第22-24页 |
| 2-2-1 MOCVD 生长系统 | 第22-23页 |
| 2-2-2 常规热处理炉 | 第23页 |
| 2-2-3 快速热处理(RTP)炉 | 第23-24页 |
| §2-3 主要测试分析技术 | 第24-28页 |
| 2-3-1 X 射线衍射(XRD) | 第24页 |
| 2-3-2 拉曼散射光谱仪(Raman) | 第24-25页 |
| 2-3-3 光致发光光谱仪(PL) | 第25-26页 |
| 2-3-4 傅立叶红外分析(FTIR) | 第26-27页 |
| 2-3-5 霍尔(Hall)效应 | 第27-28页 |
| 第三章 MOCVD生长 GaN薄膜性能研究 | 第28-35页 |
| §3-1 引言 | 第28-29页 |
| §3-2 实验方法 | 第29页 |
| 3-2-1 样品制备 | 第29页 |
| 3-2-2 实验方法 | 第29页 |
| §3-3 结果与分析 | 第29-34页 |
| 3-3-1 GaN 薄膜的结构性能 | 第29-31页 |
| 3-3-2 GaN 薄膜的残余应力 | 第31-32页 |
| 3-3-3 GaN 薄膜的电学性能 | 第32-33页 |
| 3-3-4 GaN 薄膜的发光性能 | 第33-34页 |
| §3-4 小结 | 第34-35页 |
| 第四章 快速热处理对外延层性能的影响 | 第35-42页 |
| §4-1 引言 | 第35-36页 |
| §4-2 实验 | 第36页 |
| §4-3 结果与讨论 | 第36-41页 |
| 4-3-1 快速热处理对晶体结构的影响 | 第36-37页 |
| 4-3-2 快速热处理对应力的影响 | 第37-38页 |
| 4-3-3 快速热处理对电学性能的影响 | 第38-39页 |
| 4-3-4 快速热处理对发光性能的影响 | 第39-41页 |
| §4-4 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 常规热处理对外延层性能的影响 | 第42-48页 |
| §5-1 引言 | 第42-43页 |
| §5-2 实验 | 第43页 |
| §5-3 结果与分析 | 第43-47页 |
| 5-3-1 常规热处理对晶体结构的影响 | 第43-44页 |
| 5-3-2 常规热处理对应力的影响 | 第44-45页 |
| 5-3-3 常规热处理对发光性能的影响 | 第45-47页 |
| §5-4 小结 | 第47-48页 |
| 第六章 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 致谢 | 第55页 |