| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| ·课题背景及研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| ·InAlN 薄膜的生长工艺研究进展 | 第9-10页 |
| ·Ⅲ族氮化物薄膜量子点的研究进展 | 第10-14页 |
| ·Ⅲ族氮化物薄膜相分离的研究现状 | 第14-16页 |
| ·主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 实验与测试方法 | 第17-23页 |
| ·MOCVD 的基本原理 | 第17-20页 |
| ·分析测试方法 | 第20-22页 |
| ·X 射线衍射方法 | 第20页 |
| ·原子力显微镜 | 第20-21页 |
| ·透射电子显微镜 | 第21页 |
| ·阴极荧光谱 | 第21页 |
| ·X 射线光电子能谱 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 高质量无应力InAlN/GaN 异质结材料研究 | 第23-35页 |
| ·优化生长工艺条件对In 组分的影响 | 第23-24页 |
| ·InAlN 晶体质量分析 | 第24-26页 |
| ·InAlN 层的厚度对纳米岛的影响 | 第26-27页 |
| ·InAlN 层纳米岛的成分分析 | 第27-30页 |
| ·GaN 缓冲层的缺陷对InAlN 层纳米岛的影响 | 第30-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 基于CDS 方法计算InAlN 薄膜中In 组分的分布 | 第35-52页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·建立CDS 模型 | 第35-37页 |
| ·相分离热力学条件在CDS 计算方法中的作用 | 第37-40页 |
| ·CDS 计算结果分析 | 第40-44页 |
| ·不同扩散系数D 下ψ的分布 | 第40-42页 |
| ·不同时间段下ψ的分布 | 第42-44页 |
| ·实验结果对照 | 第44-51页 |
| ·生长温度对纳米岛的影响 | 第44-45页 |
| ·厚度对纳米岛的影响 | 第45-46页 |
| ·纳米岛成分分析 | 第46-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
