| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-28页 |
| ·GaN的研究历史与现状 | 第9-11页 |
| ·GaN的性质 | 第11-15页 |
| ·GaN的结构特性和物理特性 | 第11-12页 |
| ·GaN的化学性质 | 第12-14页 |
| ·GaN的电学特性 | 第14-15页 |
| ·GaN的光学性质 | 第15页 |
| ·GaN材料的生长 | 第15-18页 |
| ·衬底的选择 | 第15-17页 |
| ·GaN的生长方法 | 第17-18页 |
| ·GaN的应用 | 第18-21页 |
| ·LED方面的应用 | 第18-19页 |
| ·电子器件方面的应用 | 第19-20页 |
| ·紫外(UV)探测器方面的应用 | 第20-21页 |
| ·稀磁半导体 | 第21-27页 |
| ·自旋电子学 | 第21-22页 |
| ·DMS的研究背景 | 第22-25页 |
| ·GaN基DMS的研究和应用 | 第25-27页 |
| ·本论文的研究意义和研究内容 | 第27-28页 |
| 2 实验设备和表征方法 | 第28-39页 |
| ·实验设备 | 第28-33页 |
| ·ECR-PEMOCVD | 第28-30页 |
| ·腔耦合-磁多级ECR源的结构和特点 | 第30页 |
| ·ESPD-U的总体结构及特征 | 第30-33页 |
| ·薄膜的表征手段 | 第33-39页 |
| ·RHEED | 第33-35页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第35-36页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第36页 |
| ·电子探针(EMPA) | 第36-37页 |
| ·超导量子干涉仪(SQUID) | 第37-38页 |
| ·光致发光(PL)谱 | 第38-39页 |
| 3 α-Al_2O_3衬底上(Ga,Mn)N的生长及特性研究 | 第39-50页 |
| ·(Ga,Mn)N薄膜的制备 | 第39-43页 |
| ·衬底的化学清洗 | 第39-40页 |
| ·α-Al_2O_3衬底上(Ga,Mn)N薄膜的生长工艺 | 第40-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-49页 |
| ·RHEED分析 | 第43-44页 |
| ·XRD分析 | 第44页 |
| ·AFM分析 | 第44-45页 |
| ·磁性表征 | 第45-48页 |
| ·光学性质 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 4 石英衬底上(Ga,Mn)N的生长及特性研究 | 第50-63页 |
| ·石英衬底上(Ga,Mn)N薄膜的制备 | 第50-53页 |
| ·石英衬底的化学清洗 | 第50页 |
| ·石英衬底上(Ga,Mn)N薄膜的生长工艺 | 第50-53页 |
| ·石英衬底上生长(Ga,Mn)N薄膜特性的研究 | 第53-62页 |
| ·石英衬底上生长(Ga,Mn)N薄膜中的Mn摩尔含量 | 第53页 |
| ·石英衬底上生长(Ga,Mn)N薄膜的结晶性和表面形貌 | 第53-60页 |
| ·石英衬底上生长(Ga,Mn)N薄膜的光学性质 | 第60-61页 |
| ·石英衬底上生长(Ga,Mn)N薄膜的磁性特性 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
