铝诱导晶化制备多晶硅薄膜的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| ·多晶硅薄膜的结构和性质 | 第9页 |
| ·多晶硅薄膜的应用及研究现状 | 第9-12页 |
| ·太阳能电池应用 | 第10-11页 |
| ·薄膜晶体管应用 | 第11-12页 |
| ·本论文研究的主要内容和意义 | 第12-13页 |
| 第2章 多晶硅薄膜的制备与表征 | 第13-23页 |
| ·薄膜生长机理 | 第13-14页 |
| ·多晶硅薄膜的制备方法 | 第14-17页 |
| ·低压化学气相沉积(LPCVD) | 第14页 |
| ·固相晶化法(SPC) | 第14-15页 |
| ·激光诱导晶化(LIC) | 第15页 |
| ·快速热退火(RTA) | 第15-16页 |
| ·金属诱导晶化(MIC) | 第16-17页 |
| ·其他方法 | 第17页 |
| ·多晶硅薄膜材料的主要分析方法 | 第17-22页 |
| ·XRD分析 | 第17-18页 |
| ·AFM分析 | 第18-19页 |
| ·Raman分析 | 第19-21页 |
| ·SEM分析 | 第21-22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 第3章 铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的实验 | 第23-35页 |
| ·衬底准备 | 第23-24页 |
| ·铝膜制备 | 第24-27页 |
| ·电阻蒸发法介绍 | 第24-25页 |
| ·实验装置 | 第25-26页 |
| ·实验过程 | 第26-27页 |
| ·氧化层的形成 | 第27页 |
| ·非晶硅膜的制备 | 第27-33页 |
| ·等离子体概论 | 第28页 |
| ·等离子体化学气相沉积技术 | 第28-29页 |
| ·PECVD法制备a-Si:H薄膜的生长机制 | 第29-30页 |
| ·实验装置 | 第30-31页 |
| ·实验过程 | 第31-33页 |
| ·非晶硅薄膜的制备参数 | 第33页 |
| ·退火处理 | 第33页 |
| ·样品测试 | 第33-35页 |
| 第4章 影响铝诱导晶化的因素的研究和分析 | 第35-53页 |
| ·退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第35-39页 |
| ·XRD测试与分析 | 第35-36页 |
| ·光学显微镜分析 | 第36-38页 |
| ·AFM测试与分析 | 第38-39页 |
| ·退火温度对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第39-44页 |
| ·XRD测试与分析 | 第40-41页 |
| ·Raman测试与分析 | 第41-42页 |
| ·AFM测试与分析 | 第42-43页 |
| ·光学显微镜分析 | 第43-44页 |
| ·退火时间和温度的制约关系 | 第44-46页 |
| ·XRD测试与分析 | 第44-45页 |
| ·Raman测试与分析 | 第45-46页 |
| ·铝、硅层厚度比对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第46-49页 |
| ·XRD测试与分析 | 第46-47页 |
| ·Raman测试与分析 | 第47-48页 |
| ·AFM测试与分析 | 第48-49页 |
| ·铝膜的制备条件对非晶硅晶化的影响 | 第49-50页 |
| ·其他因素的影响 | 第50-52页 |
| ·氧化层 | 第50-51页 |
| ·衬底材料 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第5章 铝诱导晶化的机理分析 | 第53-59页 |
| ·铝诱导的反应动力学解释 | 第53-54页 |
| ·铝诱导晶化模型 | 第54-56页 |
| ·晶化机理及过程分析 | 第56-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第67页 |
