| 内容提要 | 第1-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-26页 |
| ·ZnO材料的基本性质简介 | 第9-12页 |
| ·ZnO材料的应用 | 第12-13页 |
| ·ZnO的本征缺陷、掺杂及研究进展 | 第13-19页 |
| ·ZnO的本征缺陷 | 第13-14页 |
| ·ZnO中的非故意掺杂 | 第14-15页 |
| ·ZnO的n型掺杂 | 第15页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第15-19页 |
| ·ZnO基p-n结二极管及其电致发光的研究进展 | 第19-24页 |
| ·ZnO基p-n异质结 | 第19-21页 |
| ·ZnO基p-n同质结 | 第21-24页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第24-26页 |
| 第2章 ZnO薄膜的生长设备及样品的表征技术 | 第26-46页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术简介 | 第26-29页 |
| ·MOCVD技术 | 第26-27页 |
| ·MOCVD法制备薄膜的生长步骤 | 第27-28页 |
| ·MOCVD法制备薄膜的生长机制 | 第28-29页 |
| ·MOCVD法生长ZnO薄膜 | 第29-36页 |
| ·MOCVD法生长ZnO薄膜的源材料选择 | 第29-30页 |
| ·DEZn和O_2为源制备ZnO薄膜的生长机理 | 第30-31页 |
| ·ZnO薄膜生长专用MOCVD系统 | 第31-36页 |
| ·ZnO薄膜的表征技术 | 第36-46页 |
| ·晶体质量表征 | 第37-38页 |
| ·形貌表征 | 第38-40页 |
| ·电学特性表征 | 第40-41页 |
| ·光学特性表征 | 第41-44页 |
| ·元素组分表征 | 第44-46页 |
| 第3章 ZnO薄膜的生长、优化及特性研究 | 第46-62页 |
| ·MOCVD法制备ZnO薄膜 | 第46-49页 |
| ·衬底的选择与清洗 | 第46-48页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第48-49页 |
| ·薄膜的生长过程与生长模式 | 第49-51页 |
| ·薄膜的生长过程 | 第49页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第49-51页 |
| ·生长条件对ZnO薄膜质量的影响 | 第51-58页 |
| ·正交试验设计法简要介绍 | 第51-52页 |
| ·正交试验设计法辅助优化MOCVD制备ZnO薄膜的生长条件 | 第52-58页 |
| ·缓冲层生长温度对ZnO薄膜质量的影响 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第4章 光辅助MOCVD法制备ZnO薄膜 | 第62-76页 |
| ·光辅助技术的优点 | 第62-63页 |
| ·光辅助MOCVD法制备ZnO薄膜的研究进展 | 第63-64页 |
| ·光辅助对ZnO薄膜质量的影响 | 第64-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第5章 ZnO薄膜的p型掺杂及其特性研究 | 第76-102页 |
| ·研究背景 | 第76-78页 |
| ·ZnO薄膜的氮掺杂特性研究 | 第78-90页 |
| ·NH_3掺杂制备ZnO薄膜的研究进展 | 第78-79页 |
| ·NH_3流量对ZnO薄膜性质的影响 | 第79-83页 |
| ·光辅助对NH_3掺杂ZnO薄膜性质的影响 | 第83-90页 |
| ·ZnO薄膜的磷掺杂特性研究 | 第90-100页 |
| ·用热扩散方法在InP衬底上制备ZnO:P薄膜的可行性分析 | 第90-92页 |
| ·热扩散法制备ZnO:P薄膜及其特性研究 | 第92-100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 第6章 n-ZnO/p-Si异质结器件特性研究 | 第102-118页 |
| ·n-ZnO/p-Si异质结器件的制备及薄膜特性分析 | 第102-105页 |
| ·n-ZnO/p-Si异质结器件的制备 | 第102-103页 |
| ·ZnO薄膜的特性研究 | 第103-105页 |
| ·n-ZnO/p-Si异质结器件的特性分析 | 第105-109页 |
| ·n-ZnO/p-Si异质结电学特性研究 | 第105-107页 |
| ·n-ZnO/p-Si异质结能带 | 第107-109页 |
| ·n-ZnO/p-Si异质结器件的电致发光 | 第109-116页 |
| ·n-ZnO/p-Si异质结的可见电致发光 | 第109-111页 |
| ·n-ZnO/p-Si异质结的红外电致发光 | 第111-116页 |
| ·本章小结 | 第116-118页 |
| 结论 | 第118-121页 |
| 本论文的创新点 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-138页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第138-142页 |
| 致谢 | 第142-143页 |
| 中文摘要 | 第143-146页 |
| Abstract | 第146-148页 |
