| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-31页 |
| ·低维纳米结构的制备 | 第9-11页 |
| ·二维矩形岛形状变化理论模型 | 第11-20页 |
| ·台阶自由能作用下二维矩形岛平衡态的形状变化 | 第11-12页 |
| ·受应力作用的二维矩形岛的平衡态的形状变化 | 第12-15页 |
| ·应变岛形状变化的双稳态 | 第15-19页 |
| ·二维矩形岛平衡态形状变化曲线 | 第19-20页 |
| ·拓扑绝缘体 | 第20-31页 |
| ·绝缘态的拓扑性 | 第20-24页 |
| ·二维拓扑绝缘体 | 第24-27页 |
| ·三维拓扑绝缘体 | 第27-31页 |
| 第2章 实验仪器和实验原理 | 第31-53页 |
| ·实验仪器介绍 | 第31-33页 |
| ·超高真空系统 | 第33-38页 |
| ·分子束外延系统 | 第38-42页 |
| ·扫描隧道显微镜 | 第42-49页 |
| ·STM 的基本原理 | 第43-44页 |
| ·STM 针尖的制备 | 第44-45页 |
| ·STM 系统组成简介 | 第45-48页 |
| ·低温STM | 第48-49页 |
| ·角分辨光电子能谱仪 | 第49-53页 |
| 第3章 在应力各向异性模板上Ag 岛形状变化的双稳态研究 | 第53-75页 |
| ·研究背景 | 第53-60页 |
| ·实验方法 | 第60-65页 |
| ·实验结果及讨论 | 第65-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第4章 拓扑绝缘体Bi_(1-x)Sb_x和Bi_2Te_3薄膜的MBE 生长及其能带结构研究 | 第75-102页 |
| ·研究背景 | 第75-80页 |
| ·Bi 薄膜在Si(111)上的MBE 生长 | 第80-85页 |
| ·Bi_(1-x)Sb_x合金薄膜在Si(111)上的MBE 生长及其电子结构 | 第85-93页 |
| ·Bi_2Te_3化合物薄膜在Si(111)上的MBE 生长及其电子结构 | 第93-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 结论 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第111页 |
