射频磁控溅射制备ZnO基稀磁半导体薄膜工艺研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·自旋电子学与稀磁半导体 | 第9-10页 |
| ·稀磁半导体 | 第10-17页 |
| ·稀磁半导体的概念 | 第10-14页 |
| ·稀磁半导体中的交换作用 | 第14-15页 |
| ·稀磁半导体的磁化极子 | 第15-16页 |
| ·稀磁半导体的研究 | 第16-17页 |
| ·ZnO基稀磁半导体 | 第17-22页 |
| ·ZnO的概述 | 第17-19页 |
| ·ZnO薄膜掺杂的研究 | 第19-21页 |
| ·ZnO基稀磁半导体的研究 | 第21-22页 |
| ·ZnO基稀磁半导体合成中存在的重要问题 | 第22页 |
| ·本文主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 ZnO薄膜的制备和实验前期准备 | 第23-28页 |
| ·稀磁半导体的制备方法 | 第23-24页 |
| ·射频磁控交替溅射制备方案 | 第24-26页 |
| ·薄膜制备 | 第25页 |
| ·退火工艺 | 第25-26页 |
| ·基片的选择及清洗 | 第26页 |
| ·实验方案 | 第26-28页 |
| 第三章 Cr掺杂ZnO薄膜的制备 | 第28-38页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第28-37页 |
| ·溅射速率对ZnO薄膜性能的影响 | 第28页 |
| ·溅射功率对薄膜性能的影响 | 第28-30页 |
| ·衬底温度对薄膜性能的影响 | 第30-33页 |
| ·工作气压对薄膜性能的影响 | 第33-35页 |
| ·氢氧比对薄膜性能的影响 | 第35-37页 |
| ·Cr掺杂ZnO薄膜的制备 | 第37-38页 |
| 第四章 实验结果 | 第38-46页 |
| ·稀磁半导体的检测手段 | 第38-40页 |
| ·薄膜样品的测量结果及分析 | 第40-45页 |
| ·X荧光光谱(XRF) | 第40页 |
| ·X射线(XRD) | 第40-41页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第41-43页 |
| ·物理性质测量仪(PPMS) | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 结论与展望 | 第46-48页 |
| ·总结 | 第46页 |
| ·有待研究的问题 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第51页 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |
