基于ANSYS的MOCVD反应室有限元分析
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·GAN材料的发展及应用 | 第7-8页 |
| ·GaN材料概述 | 第7-8页 |
| ·GaN材料的发展历程 | 第8页 |
| ·MOCVD设备 | 第8-14页 |
| ·MOCVD概述 | 第8-9页 |
| ·MOCVD国内外研究现状 | 第9-12页 |
| ·MOCVD的技术的基本原理 | 第12-14页 |
| ·研究目的和主要内容 | 第14-17页 |
| 第二章 感应加热 | 第17-25页 |
| ·感应加热概述 | 第17-18页 |
| ·感应加热原理 | 第18-21页 |
| ·电磁感应 | 第18-19页 |
| ·集肤效应 | 第19-20页 |
| ·透入深度 | 第20-21页 |
| ·邻近效应和圆环效应 | 第21页 |
| ·感应加热计算中的一些问题 | 第21-22页 |
| ·传统感应加热工程计算中的不足之处 | 第22页 |
| ·电磁场计算方法 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 MOCVD反应室有限元计算模型 | 第25-31页 |
| ·有限元方法简介 | 第25-26页 |
| ·有限元方法概况 | 第25页 |
| ·有限元解题的思路 | 第25-26页 |
| ·有限元计算软件 | 第26页 |
| ·电磁场有限元数学模型 | 第26-29页 |
| ·温度场有限元数学模型 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 MOCVD反应室有限元分析 | 第31-63页 |
| ·ANSYS的有限元分析过程 | 第31-32页 |
| ·模型的建立 | 第32-35页 |
| ·几何模型的简化和建立 | 第32-34页 |
| ·分析单元的选择 | 第34页 |
| ·网格的划分 | 第34-35页 |
| ·MOCVD反应室有限元分析计算的几个问题 | 第35-37页 |
| ·线圈与被加热导体感生电流相互影响的处理 | 第35页 |
| ·材料的物理参数随温度变化的处理 | 第35-36页 |
| ·电磁场和温度场耦合的实现 | 第36-37页 |
| ·电磁场和温度场模拟结果 | 第37-58页 |
| ·电流强度对电磁场和温度场的影响 | 第38-41页 |
| ·电流频率对电磁场和温度场的影响 | 第41-44页 |
| ·线圈匝数对电磁场和温度场的影响 | 第44-46页 |
| ·线圈位置的确定 | 第46-49页 |
| ·线圈间距的确定 | 第49-52页 |
| ·反应室总体分析结果 | 第52-58页 |
| ·气流场的模拟 | 第58-61页 |
| ·反应室气流场模型的建立和网格的划分 | 第58-59页 |
| ·反应室气流场的模拟与结果分析 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 研究成果 | 第69-70页 |
