摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-29页 |
·引言 | 第11-13页 |
·国内外太阳能电池的研究进展 | 第13-17页 |
·国外太阳能电池的发展概况 | 第13-14页 |
·国内太阳能电池的发展情况 | 第14-17页 |
·太阳能电池的商业化及发展方向 | 第17-19页 |
·硅基薄膜太阳能电池的崛起 | 第19-24页 |
·a-Si薄膜太阳能电池 | 第19-21页 |
·poly-Si薄膜太阳能电池 | 第21页 |
·硅基薄膜太阳能电池的发展趋势及应用前景 | 第21-24页 |
·多晶硅薄膜太阳能电池研究进展 | 第24-27页 |
·多晶硅薄膜太阳能电池研究进展 | 第24-26页 |
·多晶硅薄膜的制备方法 | 第26-27页 |
·本论文选题及研究的目的和意义 | 第27页 |
·本论文选题及研究内容 | 第27-29页 |
第2章 多晶硅薄膜的制备及表征 | 第29-40页 |
·引言 | 第29页 |
·多晶硅薄膜的制备 | 第29-32页 |
·磁控溅射原理 | 第30-31页 |
·glass/Al/a-Si制备 | 第31页 |
·退火 | 第31-32页 |
·薄膜结构及性能的表征 | 第32-39页 |
·X射线衍射技术(XRD) | 第32-33页 |
·拉曼散射光谱(Raman) | 第33-35页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第35-36页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第36-38页 |
·霍尔效应仪(Hall effect measurement) | 第38-39页 |
·小结 | 第39-40页 |
第3章 铝诱导晶化(AIC)非晶硅制备多晶硅薄膜影响因素研究 | 第40-75页 |
·退火温度对晶化过程的影响 | 第40-46页 |
·引言 | 第40页 |
·实验部分 | 第40-41页 |
·结果与讨论 | 第41-45页 |
·小结 | 第45-46页 |
·退火时间对晶化过程的影响 | 第46-51页 |
·引言 | 第46页 |
·实验部分 | 第46-47页 |
·结果与讨论 | 第47-50页 |
·小结 | 第50-51页 |
·铝膜对晶化过程的影响 | 第51-56页 |
·引言 | 第51页 |
·实验部分 | 第51-52页 |
·结果与讨论 | 第52-55页 |
·小结 | 第55-56页 |
·Al/a-Si界面缓冲层Al_2O_3对晶化过程的影响 | 第56-62页 |
·引言 | 第56页 |
·实验部分 | 第56-57页 |
·结果与讨论 | 第57-61页 |
·小结 | 第61-62页 |
·退火气氛对晶化过程的影响 | 第62-69页 |
·引言 | 第62页 |
·实验部分 | 第62页 |
·结果与讨论 | 第62-67页 |
·小结 | 第67-69页 |
·衬底形貌对晶化过程的影响 | 第69-75页 |
·引言 | 第69页 |
·实验部分 | 第69-70页 |
·结果与讨论 | 第70-74页 |
·小结 | 第74-75页 |
第4章 铝诱导晶化低温制备多晶硅薄膜机制研究 | 第75-88页 |
·引言 | 第75页 |
·铝诱导晶化低温制备多晶硅薄膜的过程描述 | 第75-78页 |
·铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的实验步骤 | 第75-76页 |
·铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜过程的动力学描述 | 第76-78页 |
·铝诱导晶化低温制备多晶硅薄膜的机制研究 | 第78-87页 |
·AIC机制理论研究 | 第78-84页 |
·AIC机制实验验证 | 第84-87页 |
·小结 | 第87-88页 |
第5章 铝诱导晶化非晶硅低温(<100℃)制备多晶硅薄膜 | 第88-97页 |
·引言 | 第88页 |
·实验 | 第88-89页 |
·薄膜制备 | 第88-89页 |
·性能表征 | 第89页 |
·结果与讨论 | 第89-96页 |
·小结 | 第96-97页 |
第6章 薄膜太阳能电池用低掺杂率多晶硅薄膜的制备 | 第97-106页 |
·引言 | 第97-99页 |
·实验 | 第99-100页 |
·薄膜制备 | 第99页 |
·退火处理 | 第99-100页 |
·性能表征及掺杂浓度测试 | 第100页 |
·结果与讨论 | 第100-104页 |
·小结 | 第104-106页 |
第7章 结论 | 第106-111页 |
·论文的主要研究内容及得到的主要结论 | 第107-109页 |
·论文的主要创新点 | 第109页 |
·存在的问题和今后工作的研究重点 | 第109-111页 |
致谢 | 第111-112页 |
参考文献 | 第112-121页 |
攻读学位期间的研究成果 | 第121-123页 |