| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·研究现状 | 第10-16页 |
| ·课题研究意义 | 第10-11页 |
| ·新型High-K 材料需要满足的条件 | 第11-13页 |
| ·候选的High-K 材料介绍 | 第13-14页 |
| ·Gd_2O_3 的基本性质 | 第14-16页 |
| ·Gd_2O_3 薄膜的制备方法 | 第16-20页 |
| ·脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition , PLD） | 第16-17页 |
| ·金属有机化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) | 第17-18页 |
| ·分子束外延工艺（Molecular Beam Epitaxy ,MBE） | 第18-19页 |
| ·磁控溅射(Magnetron Sputtering) | 第19页 |
| ·原子层淀积(Atomic Layer Deposition, ALD) | 第19-20页 |
| ·本论文的选题依据及其主要内容 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-26页 |
| 第二章 Gd_2O_3薄膜的生长和表征 | 第26-46页 |
| ·Gd_2O_3 的生长原理和过程 | 第26-29页 |
| ·薄膜生长设备的介绍 | 第26-27页 |
| ·Gd_2O_3 的制备流程 | 第27-28页 |
| ·薄膜的生长 | 第28-29页 |
| ·Gd_2O_3 薄膜性质的结构和性质表征 | 第29-42页 |
| ·射线衍射（XRD） | 第29-33页 |
| ·X 射线反射（XRR） | 第33-35页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第35-37页 |
| ·价带偏移的计算 | 第37-40页 |
| ·红外光谱分析 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 第三章 NSRL 红外光束线站改造 | 第46-53页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·同步辐射的红外光源分析 | 第46-51页 |
| ·同步辐射光源理论及特点 | 第47页 |
| ·NSRL 红外光束线站介绍及其光源特征 | 第47-50页 |
| ·同步辐射红外的应用 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第四章 总结与展望 | 第53-55页 |
| ·结论 | 第53页 |
| ·展望 | 第53-55页 |
| 硕士期间发表的文章 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
