| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·III 族氮化物半导体材料的基本性质 | 第12-16页 |
| ·III 族氮化物半导体器件及其应用 | 第16-18页 |
| ·主要的氮化物半导体光电子器件和应用 | 第16-17页 |
| ·主要的氮化物半导体微电子器件和应用 | 第17-18页 |
| ·III 族氮化物半导体材料器件的发展现状 | 第18页 |
| ·Al(Ga)N 材料面临的问题 | 第18-22页 |
| ·高质量厚层AlN 材料的特殊意义和研究现状 | 第22-25页 |
| ·本论文主要内容及研究成果 | 第25-27页 |
| 第2章 氮化物MBE 生长技术及材料表征技术介绍 | 第27-36页 |
| ·MBE 生长技术概述 | 第27-28页 |
| ·PA-MBE 系统介绍 | 第28-33页 |
| ·超高真空系统和衬底加热系统 | 第28-29页 |
| ·固态Al 源与等离子体辅助N 源 | 第29-31页 |
| ·原位分析系统 | 第31-33页 |
| ·PA-MBE 生长AlN 材料的存在问题和基本流程 | 第33-34页 |
| ·材料表征技术简介 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 氮化工艺对晶体质量影响的研究 | 第36-48页 |
| ·氮化工艺的基本原理和关键参数 | 第36页 |
| ·氮化温度对晶体质量的影响 | 第36-45页 |
| ·衬底预处理 | 第37页 |
| ·样品制备 | 第37-39页 |
| ·氮化温度对晶体质量的影响 | 第39-41页 |
| ·不同温度氮化的蓝宝石表面XPS 分析 | 第41-45页 |
| ·高温氮化时间对晶体质量的影响 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 AlN 成核层厚度对晶体质量影响的研究 | 第48-59页 |
| ·成核层技术的基本原理 | 第48页 |
| ·AlN 成核层外延中的问题 | 第48-50页 |
| ·AlN 成核层厚度对晶体质量的影响 | 第50-56页 |
| ·样品制备 | 第50页 |
| ·不同厚度成核层的RHEED 图样分析 | 第50-51页 |
| ·成核厚度对位错的影响 | 第51-56页 |
| ·成核厚度对成核层表面形貌的影响 | 第56页 |
| ·成核层厚度对位错影响的分析 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 AlN 主外延层V/III 比和结构的优化 | 第59-76页 |
| ·V/III 比对原子表面迁移影响的分析 | 第59-60页 |
| ·主外延层V/III 比对晶体质量的影响 | 第60-69页 |
| ·富 Al 生长区V/III 比的测量 | 第60-61页 |
| ·生长过程中不同 V/III 比样品 RHEED 图样演化 | 第61-62页 |
| ·V/III 比对表面形貌的影响 | 第62-64页 |
| ·V/III 比对位错的影响 | 第64-68页 |
| ·4 μm 厚层 AlN 材料的生长 | 第68-69页 |
| ·采用插入层优化表面形貌和晶体质量 | 第69-74页 |
| ·样品制备及RHEED 图样演化 | 第69页 |
| ·插入层厚度对表面形貌和晶体质量的影响 | 第69-72页 |
| ·插入层厚度对晶体质量影响的分析 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第6章 SiN_x对AlGaN/GaN 异质结物理特性影响的研究 | 第76-89页 |
| ·应力状态对AlGaN/GaN 异质结的影响分析 | 第76-79页 |
| ·HEMT 器件基本结构和工作原理 | 第76-77页 |
| ·应力状态对2DEG 特性和器件工作特性的影响分析 | 第77-78页 |
| ·增加AlGaN 层张应力的方法和问题 | 第78-79页 |
| ·不同条件沉积的SiN_x 薄膜对2DEG 特性的影响 | 第79-80页 |
| ·不同条件沉积的SiN_x 薄膜对HEMT 器件直流工作特性的影响 | 第80-82页 |
| ·高频条件沉积的SiN_x 薄膜对HEMT 器件电流崩塌效应的影响 | 第82-85页 |
| ·SiN_x 薄膜应力测试结果和实验现象机理分析 | 第85-87页 |
| ·SiN_x 薄膜应力测试 | 第85-86页 |
| ·SiN_x 薄膜应力对材料2DEG 特性和器件直流特性影响的分析 | 第86页 |
| ·张应力 SiN_x 薄膜抑制电流崩塌效应的分析 | 第86-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 第7章 结论 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第104-105页 |
