MBE生长GaAs/GaN薄膜结构与光学特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| ·课题背景 | 第10-14页 |
| ·GaAs 基量子阱红外探测器 | 第10-11页 |
| ·GaN 基紫外探测器 | 第11-13页 |
| ·紫外/红外双色探测器 | 第13-14页 |
| ·GaAs/GaN 双色探测器 | 第14页 |
| ·GaN 和GaAs 材料的特性 | 第14-16页 |
| ·GaN 和GaAs 薄膜的制备 | 第16-18页 |
| ·金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第16-17页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第17页 |
| ·晶片键合技术 | 第17-18页 |
| ·分子束外延技术 | 第18-22页 |
| ·分子束外延的原理 | 第18-19页 |
| ·分子束外延的设备结构 | 第19-21页 |
| ·分子束外延的主要特征 | 第21-22页 |
| ·本文研究的目的与主要内容 | 第22-23页 |
| 第2章 样品的制备和分析方法 | 第23-32页 |
| ·MBE 设备简介 | 第23-24页 |
| ·样品的制备 | 第24-26页 |
| ·衬底的要求与处理 | 第24-25页 |
| ·RHEED 监控GaAs 单晶薄膜的生长 | 第25-26页 |
| ·分析测试方法 | 第26-31页 |
| ·X 射线衍射技术(XRD) | 第26页 |
| ·原子力显微技术(AFM) | 第26-27页 |
| ·扫描电子显微镜技术(SEM) | 第27页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第27-28页 |
| ·拉曼散射谱(Raman) | 第28页 |
| ·X 射线光电子谱(XPS) | 第28-29页 |
| ·研究中所用几种测试方法的比较分析 | 第29-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第3章 GaAs/GaN 薄膜结构质量研究 | 第32-45页 |
| ·XRD 分析 | 第32-35页 |
| ·表面形貌观测 | 第35-40页 |
| ·SEM 观测分析 | 第40-42页 |
| ·XPS 测试分析 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 GaAs/GaN 异质结能带研究 | 第45-61页 |
| ·半导体异质结带阶 | 第45-48页 |
| ·半导体异质结带阶特性 | 第45-46页 |
| ·半导体异质结带阶应用 | 第46-48页 |
| ·半导体异质结带阶类型 | 第48页 |
| ·异质结带阶测量方法 | 第48-50页 |
| ·量子阱光跃迁光谱 | 第49页 |
| ·电流-电压法 | 第49页 |
| ·光电子谱法 | 第49-50页 |
| ·GaAs/GaN 带阶的XPS 法测量 | 第50-57页 |
| ·GaAs/GaN 异质结的元素化学态分析 | 第50-56页 |
| ·GaAs/GaN 异质结带阶的测量分析 | 第56-57页 |
| ·n-GaAs/n-GaN 异质结I-V 特性 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 GaAs/GaN 薄膜光学性能研究 | 第61-78页 |
| ·光致发光研究 | 第61-72页 |
| ·半导体的辐射复合过程 | 第61-63页 |
| ·GaAs/GaN 薄膜室温下PL 谱 | 第63-66页 |
| ·GaAs/GaN 薄膜变温下 PL 谱 | 第66-72页 |
| ·拉曼散射研究 | 第72-76页 |
| ·GaN 和GaAs 与拉曼散射有关的性质 | 第73-74页 |
| ·实验结果与分析 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 结论 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
