| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| ·研究背景 | 第8-11页 |
| ·高K介质的选择 | 第11-14页 |
| ·Si_3N_4和SiO_xN_y | 第12页 |
| ·IVB元素(Ti、Zr、Hf)氧化物 | 第12-13页 |
| ·ⅢA元素(Al)氧化物 | 第13页 |
| ·ⅢB元素(Y、La)氧化物 | 第13页 |
| ·堆栈结构(stacked structures) | 第13页 |
| ·伪二元合金 | 第13-14页 |
| ·VB元素(Ta)氧化物 | 第14页 |
| ·Ta_2O_5薄膜常见制备工艺 | 第14-17页 |
| ·化学气相沉积 | 第15页 |
| ·溶胶-凝胶(Sol-gel)法 | 第15-16页 |
| ·蒸发镀膜 | 第16页 |
| ·溅射法 | 第16-17页 |
| ·Ta_2O_5薄膜研究现状 | 第17-20页 |
| ·本文研究的目的和内容 | 第20-22页 |
| ·研究的目的 | 第20页 |
| ·研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 Ta_2O_5薄膜的制备与表征 | 第22-38页 |
| ·直流反应磁控溅射技术 | 第22-24页 |
| ·溅射的基本原理 | 第22-23页 |
| ·反应磁控溅射 | 第23-24页 |
| ·TXZ-500I磁控溅射镀膜机 | 第24-25页 |
| ·Ta_2O_5薄膜的制备和热处理 | 第25-29页 |
| ·基底的清洗 | 第25-26页 |
| ·薄膜溅射过程 | 第26-27页 |
| ·薄膜的快速热处理 | 第27-29页 |
| ·Ta_2O_5薄膜的表征方法 | 第29-37页 |
| ·薄膜厚度 | 第29-30页 |
| ·薄膜表面形貌 | 第30-32页 |
| ·薄膜显微结构 | 第32页 |
| ·薄膜紫外-可见光透过率测试 | 第32-33页 |
| ·击穿强度测试 | 第33-35页 |
| ·薄膜C-V特性测试 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 制备参数对Ta_2O_5薄膜的影响 | 第38-56页 |
| ·制备参数对起辉特性影响 | 第38-40页 |
| ·氧流量比对Ta_2O_5薄膜的影响 | 第40-49页 |
| ·氧流量比对溅射速率的影响 | 第40-41页 |
| ·氧流量比对显微结构的影响 | 第41-42页 |
| ·氧流量比对表面形貌的影响 | 第42-43页 |
| ·氧流量比对光学性质的影响 | 第43-48页 |
| ·氧流量比对击穿强度的影响 | 第48-49页 |
| ·溅射气压对Ta_2O_5薄膜的影响 | 第49-55页 |
| ·溅射气压对溅射速率的影响 | 第49-50页 |
| ·溅射气压对显微结构的影响 | 第50-51页 |
| ·溅射气压对表面形貌的影响 | 第51-52页 |
| ·溅射气压对光学性质的影响 | 第52-54页 |
| ·溅射气压对击穿强度的影响 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 退火对Ta_2O_5薄膜的影响 | 第56-65页 |
| ·快速热退火处理 | 第56-57页 |
| ·退火对表面形貌的影响 | 第57页 |
| ·退火对晶体结构的影响 | 第57-60页 |
| ·退火对光学性质的影响 | 第60-62页 |
| ·透射率 | 第60页 |
| ·折射率和消光系数 | 第60-61页 |
| ·光学带隙 | 第61-62页 |
| ·退火对电学性质的影响 | 第62-64页 |
| ·击穿强度 | 第62页 |
| ·介电常数 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读学位期间主要研究成果 | 第73页 |