DBD-PECVD法制备CN薄膜的研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
1 绪论 | 第8-20页 |
·CN薄膜性质 | 第8-9页 |
·CN薄膜的制备方法 | 第9-12页 |
·薄膜的表征及等离子体诊断方法简介 | 第12-17页 |
·傅立叶变换红外光谱(FTIR)简介 | 第13页 |
·沉积速率分析简介 | 第13-14页 |
·拉曼光谱(Raman)简介 | 第14页 |
·原子力显微镜(AFM)简介 | 第14-16页 |
·X射线能谱(XPS)简介 | 第16-17页 |
·等离子体诊断方法简介 | 第17-18页 |
·选题依据 | 第18-20页 |
2 CN薄膜的制备 | 第20-24页 |
·实验装置简介 | 第20-22页 |
·实验方案及过程简述 | 第22-24页 |
3 CN薄膜分析 | 第24-49页 |
·不同沉积工艺下CN薄膜的FTIR分析 | 第24-30页 |
·不同气体体积分数的FTIR谱图 | 第24-26页 |
·不同放电气压下的FTIR谱图 | 第26-28页 |
·不同放电频率下的FTIR谱图 | 第28-30页 |
·不同沉积工艺下CN薄膜的沉积速率分析 | 第30-32页 |
·不同气体体积分数的CN薄膜沉积速率 | 第30-31页 |
·不同放电气压下的CN薄膜沉积速率 | 第31-32页 |
·不同放电频率下的CN薄膜沉积速率 | 第32页 |
·不同放电气压下Raman光谱分析 | 第32-34页 |
·不同沉积工艺下CN薄膜的AFM分析 | 第34-37页 |
·不同气体体积分数的AFM分析 | 第34-36页 |
·不同放电气压下的AFM分析 | 第36-37页 |
·不同沉积工艺下CN薄膜的XPS分析 | 第37-42页 |
·不同气体体积分数的XPS分析 | 第37-39页 |
·不同放电气压下的XPS分析 | 第39-42页 |
·不同沉积工艺下CN薄膜的发光光谱分析 | 第42-49页 |
·不同气体体积分数的发光光谱分析 | 第44-46页 |
·不同放电气压下的发光光谱分析 | 第46-49页 |
结论 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-52页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52-53页 |
致谢 | 第53-54页 |