真空高阻区熔硅单晶生长技术的研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·硅单晶生长工艺方法及特点 | 第8-13页 |
| ·直拉(CZ)法 | 第8-9页 |
| ·磁控(MCZ)直拉法 | 第9-10页 |
| ·区熔(FZ)法 | 第10-11页 |
| ·直拉法与区熔法主要特点比较 | 第11-13页 |
| ·高阻硅探测器的特点 | 第13-14页 |
| ·高阻探测器对材料的要求 | 第14-15页 |
| ·高阻区熔硅单晶材料国内外现状 | 第15-18页 |
| ·国外主要技术现状 | 第16-17页 |
| ·国内主要技术现状 | 第17-18页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第18-20页 |
| ·研究目的 | 第18页 |
| ·研究目标 | 第18-19页 |
| ·研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 区熔提纯 | 第20-34页 |
| ·分凝现象与分凝系数 | 第20-22页 |
| ·平衡分凝系数 | 第20-21页 |
| ·有效分凝系数 | 第21-22页 |
| ·区熔原理 | 第22-26页 |
| ·一次区熔提纯 | 第23-24页 |
| ·多次区熔与极限分布 | 第24-26页 |
| ·蒸发效应 | 第26页 |
| ·影响区熔提纯效果的主要因素 | 第26-30页 |
| ·熔区长度对提纯效果的影响 | 第27-28页 |
| ·熔区移动速度对提纯效果的影响 | 第28页 |
| ·熔区移动速度对真空蒸发效果的影响 | 第28-30页 |
| ·区熔加热场 | 第30-34页 |
| ·加热线圈 | 第30-31页 |
| ·作用机理 | 第31-32页 |
| ·真空提纯加热线圈的优化设计 | 第32-34页 |
| 第三章 硅晶体中的杂质和缺陷研究 | 第34-41页 |
| ·硅晶体中杂质的性质 | 第34-35页 |
| ·杂质能级 | 第34页 |
| ·杂质对材料电阻率的影响 | 第34-35页 |
| ·杂质对非平衡载流子寿命的影响 | 第35页 |
| ·区熔硅单晶的掺杂技术 | 第35-38页 |
| ·硅单晶中的微缺陷研究 | 第38-41页 |
| ·晶体中常见的几种微缺陷 | 第38-39页 |
| ·微缺陷的产生机制 | 第39-40页 |
| ·减少微缺陷的方法 | 第40-41页 |
| 第四章 真空高阻区熔硅单晶生长工艺研究 | 第41-57页 |
| ·产品技术分析 | 第41-42页 |
| ·技术指标 | 第41页 |
| ·技术分析 | 第41-42页 |
| ·工艺设计方案 | 第42-44页 |
| ·材料设计 | 第42-43页 |
| ·工艺设计 | 第43-44页 |
| ·主要工艺设备及测试仪器 | 第44页 |
| ·关键技术和难点 | 第44-45页 |
| ·硅中杂质的控制技术研究 | 第45-51页 |
| ·区熔提纯控制硼含量 | 第46页 |
| ·多次提纯对电阻率的影响 | 第46-47页 |
| ·真空区熔提纯优化工艺 | 第47-49页 |
| ·防沾污工艺 | 第49-51页 |
| ·无位错真空区熔硅单晶的生长技术研究 | 第51-54页 |
| ·气氛改变对单晶生长的影响 | 第51-52页 |
| ·散热机制改变对单晶生长的影响 | 第52页 |
| ·挥发物对单晶生长的影响 | 第52页 |
| ·热场设计 | 第52-53页 |
| ·生长速度对晶体中微缺陷的影响 | 第53-54页 |
| ·加热功率对晶体中微缺陷的影响 | 第54页 |
| ·提高少子寿命技术研究 | 第54-55页 |
| ·研制的硅单晶测试结果 | 第55-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
