| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·GaN 基发光器件概述 | 第7-8页 |
| ·GaN 基LED 在照明光源上的应用以及实现方法 | 第8-12页 |
| ·GaN 基LED 在照明光源上的优势 | 第8页 |
| ·GaN 基白光LED 的主要实现方法 | 第8-10页 |
| ·其它白光LED 实现方法 | 第10-12页 |
| ·本论文的研究内容和安排 | 第12-13页 |
| 第二章 GaN 材料特性以及GaN 基LED 发光原理 | 第13-21页 |
| ·GaN 材料特性及基本参数 | 第13-14页 |
| ·GaN 半导体材料的优势特性 | 第13页 |
| ·GaN 材料晶体结构及基本参数 | 第13-14页 |
| ·GaN 基LED 发光基本原理 | 第14-19页 |
| ·材料发光的分类 | 第14-15页 |
| ·半导体发光的一般机理 | 第15-17页 |
| ·GaN 基半导体光电器件的优点 | 第17-18页 |
| ·高Al 组分AlGaN 深紫外LED 材料 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 异质外延GaN 晶体膜的生长机理 | 第21-27页 |
| ·GaN 外延材料生长的基本方法 | 第21-22页 |
| ·MOCVD 生长基本机理及设备 | 第22-25页 |
| ·MOCVD 生长方法及其优点 | 第22页 |
| ·GaN 异质外延衬底的选择 | 第22-23页 |
| ·MOCVD 技术生长GaN 晶体薄膜的基本物理化学过程 | 第23-24页 |
| ·实验所用MOCVD 设备 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第四章 高Al 组分AlGaN 晶体薄膜的表征和测试 | 第27-33页 |
| ·Al 组分百分含量的表征方法 | 第27-29页 |
| ·通过XRD 表征材料的Al 组分 | 第27-28页 |
| ·通过透射谱计算材料Al 组分含量 | 第28-29页 |
| ·基于XRD 的晶体参数以及结晶质量分析 | 第29-31页 |
| ·摇摆曲线对晶体结晶质量的分析 | 第30页 |
| ·通过XRD 对材料位错密度和晶格常数的表征 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第五章 高Al 组分AlGaN 外延生长及表征 | 第33-49页 |
| ·低温AlN 成核层的生长优化 | 第33-36页 |
| ·脉冲法AlN 缓冲层的生长对AlGaN 外延层的影响 | 第36-43页 |
| ·脉冲时NH3 不同关断时间对外延层结晶质量的影响 | 第37-38页 |
| ·脉冲次数对外延层结晶质量的影响 | 第38-40页 |
| ·AlN 脉冲层不同TMA / NH3 流量比例的优化 | 第40-43页 |
| ·AlGaN/AlN SLs 超晶格结构的生长对AlGaN 外延层的影响 | 第43-48页 |
| ·超晶格周期数对AlGaN 外延层的影响 | 第43-45页 |
| ·超晶格周期厚度对AlGaN 外延层的影响 | 第45-47页 |
| ·超晶格AlGaN/Al 厚度比对AlGaN 外延层的影响 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第六章 不同Al 组分含量的AlGaN 外延层的表征 | 第49-55页 |
| ·实验方案 | 第49-50页 |
| ·实验结果与分析 | 第50-53页 |
| ·摇摆曲线的测定和位错密度的计算 | 第51页 |
| ·基于XRD 分析的Al 组份测算 | 第51-52页 |
| ·外延材料表观晶格常数和应力情况的分析 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第63-64页 |
